柔性有机小分子薄膜场效应晶管的制备与电学性能研究
【学位授予单位】:湖北大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TN386
【图文】:
在源极和漏极两端加一定的电压,感应电荷就会流动起来,大大降低了半导体沟道的电逡逑阻,使器件正常工作。逡逑如图1.2所示器件结构图(有源层材料为p型)。当源极和栅极两端施加负压VCS时,逡逑空穴由源极向半导体中注入,在绝缘层-有源层界面会出现感应电荷。随着Vos数值的增逡逑2逡逑
面附近电子的浓度时,有源层内形成导电沟道。此时栅极相应的电压即阈值电压,符号逡逑VT。当栅压VCS>VT时,沟道中的载流子均匀分布。当源漏间的电压VDS?VCS-VT时,逡逑电荷密度呈现出图1.2邋(a)所示分布,由源极到漏极线性减小,此时漏极的电流IDS与逡逑VDS正相关,该区域被称为晶体管的线性区。当源漏电压正大到VDS=VG-VT时,VGS二0,逡逑栅漏两端的电势相等,半导体层被诱导出的感应电荷为零,漏极区域出现耗尽区,电荷逡逑密度分布如图1.2邋(b)所示。当VUS>VCS-VT时夹断点向源极移动,漏极电流达到饱和,逡逑该区域被称为饱和区。如图丨.2邋(c)所示场效应晶体管的工作示意图。逡逑鲽?逦?逡逑mm"""_逦/逡逑榦逦Id逦/逡逑;?极逦/邋VDS?VGS-VT逡逑H藏逦/逡逑?逦r、逦Vd逡逑(a)逡逑典树逦lum邋?逡逑Id逦/逡逑/邋VDS=VGS-VT逡逑HK逦/逡逑?逦Vd逡逑(b)逡逑i邋_邋?极逦IMtH逦?逡逑,____I逡逑#*?逦|0邋厂逡逑岕逦/邋vDS>vG-vT逡逑Wtt逦/逡逑?逦Vd逡逑(c)逡逑图1.2Vt;s—定时,不同工作状态下]DS与VDS的关系曲线。逡逑(a)为线性区,(b)为沟道夹断点,(c)为1%饱和区逡逑3逡逑
近年来随着人们对高性能半导体材料的追求,越来越多的新材料被开发出来,逡逑从氧化锌到铟镓锌氧化物,从并五苯到纳米碳管。随着半导材料的性能与稳定性的,半逡逑导体器件的变化也日新月异。如图1.3所示一些常见的有机半导体分子结构图。逡逑\邋#逡逑并五苯逦C60逡逑copco逦务逡逑DNTT逦Cg-BTBT逡逑图1.3常见有机半导体的分子结构图逡逑1.7柔性薄膜晶体管相关应用逡逑柔性薄膜晶体管器件以其廉价、质量轻、可弯曲、功耗低、能大面积生产等优点成逡逑为研宄的热点。经过近几年的努力,柔性晶体管器件的性能己经得到了显著提升。而且逡逑其在柔性显示,电子打印,传感器,大规模集电路有着极大的潜力柔性0FET的成本,逡逑加工温度低,质量轻,具有柔性可穿戴等特点。目前己经被广泛的应用在柔性显示器,逡逑柔性传感器等领域中。逡逑6逡逑
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