基于共轭聚合物垂直分层复合膜的可拉伸晶体管
【学位单位】:合肥工业大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TN32
【部分图文】:
1.1 有机薄膜晶体管的器件结构示意图:(a)底栅顶接触(BGTC),(b)底栅底接(BGBC),(c)顶栅顶接触(TGTC),(d)顶栅底接触(TGBC)。ig 1.1 Schematic diagram of device structure of organic thin film transistor: (a) Bottom gontact (BGTC), (b) Bottom gate contact (BGBC), (c) Top gate contact (TGTC), (d) Top gcontact (TGBC) ..2 有机薄膜晶体管的工作原理及性能参数源极通常接地(VS= 0),将电压施加到栅极和漏极,源极和漏极之间的为源极-漏极电压(VDS)。源极是注入载流子的电极。相对于源极,当栅极电压(VG)时,源极注入电子,当施加负的 VG时,源极注入空穴加的 VG来确定沟道中累积的电荷量,从而确定源极和漏极之间的电流漏极电流:IDS)。沟道中累积电荷量与 VG和绝缘层的电容密度(Ci)成正,电荷仅在距离半导体-电介质界面非常短的距离内累积,通常在第一。并非所有感应电荷都是可移动的并且对有机薄膜晶体管中的 IDS有贡应电荷移动之前,首先必须填充任何存在的深陷阱状态。也就是说,必
第一章 绪论加都不会显著增加 IDS,IDS达到饱和(图 1.3a),该区域称为饱和区。 饱和电IDS(sat)几乎与 VDS无关,与 VG呈二次方关系,并与载流子的饱和迁移率(μsa呈线性关系: (sat) = 2 ( )2(1
合肥工业大学硕士学位论文可能低,而电荷累积时的导通电流应尽可能高。在有机薄膜晶体管中,未掺杂半导体的体电阻很大程度上决定了截止电流。根据预期的应用,需要 106至 109的开关比。有机薄膜晶体管的 IDS-VG特性通常表示为转移特性曲线,即恒定的 VDS下,IDS随 VG的变化,或者作为输出特性曲线,即 IDS相对于一组恒定 VG的 VDS(见图 1.3)。输出特性曲线对于确定线性区和饱和区的有效的 VDS范围是有益的。它们还可以确定是否为欧姆接触,也就是说,IDS不会随着低 VDS线性增加,而是呈现典型的 S 形曲线。正常情况下,应绘制正向和反向电压扫描以评估任何可能的载流子的捕获,载流子的捕获会导致电流的滞后。
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