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基于共轭聚合物垂直分层复合膜的可拉伸晶体管

发布时间:2020-09-14 11:48
   当前,人们对可穿戴和可植入设备的需求迅速增长。可拉伸器件能够保证可穿戴和可植入设备舒适贴合、精确测量和使用寿命,因此它的实现是至关重要的。相比于传统的硅基材料,共轭聚合物由于可溶液加工、相对低的模量(E)和高度可调的化学结构等特点而受到越来越多的关注。本文主要研究了聚3-己基噻吩(P3HT)与苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SIS)共混制备的垂直双层结构的复合膜,并将其应用于可拉伸晶体管。工作内容如下:(1)P3HT/SIS垂直分层复合膜的研究。将P3HT与绝缘聚合物SIS的共混溶液旋涂到高表面能的基底上,通过表面诱导垂直相分离获得P3HT富集在顶部和SIS沉积在底部的的垂直双层结构的复合膜,一步获得了有机薄膜晶体管的半导体层与绝缘层。通过改变复合膜中P3HT的含量来调控复合膜的相态结构,结果表明P3HT浓度为0.25 mg/mL时(复合膜P3HT-0.25),P3HT在SIS基质的表面铺满,形成一层上表面连续而相界面粗糙的超薄膜,厚度约为3.91 nm,并且在此配比下的场效应性能最佳,获得了1.0×10~(-2) cm~2V~(-1)s~(-1)的平均迁移率。此外,复合膜的场效应性能均表现出较好的均匀性和重复性。提供了一种简单且高效的方法来一步获得可拉伸半导体和绝缘层,为制作可拉伸晶体管提供了可能。(2)拉伸状态下的P3HT/SIS复合膜的场效应性能研究。通过将复合薄膜转移到弹性体表面进行拉伸的方法,研究了不同拉伸应变下的复合薄膜的有机薄膜晶体管器件场效应性能,测试结果表明,复合膜表现出较高的耐拉伸性,其中复合膜P3HT-0.25在施加低于50%的拉伸应变时,没有裂纹形成,迁移率(μ)的下降变化不明显,施加100%的拉伸应变时才出现微小裂纹,μ下降了84.5%(相对于未拉伸状态)。循环拉伸测试结果表明,复合膜P3HT-0.25在50%应变下循环拉伸200次未观察到裂纹,而迁移率在前几次循环拉伸后表现出微弱的下降,之后维持稳定。P3HT/SIS复合膜的耐拉伸性归因于共混相分离形成的P3HT/SIS垂直分层的褶皱界面和超薄的P3HT半导体层的形成。(3)基于P3HT/SIS复合膜的可拉伸晶体管的制备及性能研究。设计了一种适用于P3HT/SIS复合膜的可拉伸晶体管的制备方案。使用弹性体与金属复合的可拉伸电极作为源漏电极,镓铟液态金属(EGain)作为栅极,复合膜P3HT-0.25作为半导体层和绝缘层,制备了可拉伸晶体管器件。在未施加拉伸应变时,可拉伸晶体管的μ为1.3×10~(-2) cm~2V~(-1)s~(-1)。可拉伸晶体管在在施加低于50%的拉伸应变时,μ有所下降,但下降控制在一个数量级以内,当释放应变之后,μ有所恢复。
【学位单位】:合肥工业大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TN32
【部分图文】:

示意图,有机薄膜晶体管,栅顶,顶接


1.1 有机薄膜晶体管的器件结构示意图:(a)底栅顶接触(BGTC),(b)底栅底接(BGBC),(c)顶栅顶接触(TGTC),(d)顶栅底接触(TGBC)。ig 1.1 Schematic diagram of device structure of organic thin film transistor: (a) Bottom gontact (BGTC), (b) Bottom gate contact (BGBC), (c) Top gate contact (TGTC), (d) Top gcontact (TGBC) ..2 有机薄膜晶体管的工作原理及性能参数源极通常接地(VS= 0),将电压施加到栅极和漏极,源极和漏极之间的为源极-漏极电压(VDS)。源极是注入载流子的电极。相对于源极,当栅极电压(VG)时,源极注入电子,当施加负的 VG时,源极注入空穴加的 VG来确定沟道中累积的电荷量,从而确定源极和漏极之间的电流漏极电流:IDS)。沟道中累积电荷量与 VG和绝缘层的电容密度(Ci)成正,电荷仅在距离半导体-电介质界面非常短的距离内累积,通常在第一。并非所有感应电荷都是可移动的并且对有机薄膜晶体管中的 IDS有贡应电荷移动之前,首先必须填充任何存在的深陷阱状态。也就是说,必

有机薄膜晶体管,载流子,绪论,同种


第一章 绪论加都不会显著增加 IDS,IDS达到饱和(图 1.3a),该区域称为饱和区。 饱和电IDS(sat)几乎与 VDS无关,与 VG呈二次方关系,并与载流子的饱和迁移率(μsa呈线性关系: (sat) = 2 ( )2(1

转移特性曲线,输出特性曲线,饱和电流,平方根


合肥工业大学硕士学位论文可能低,而电荷累积时的导通电流应尽可能高。在有机薄膜晶体管中,未掺杂半导体的体电阻很大程度上决定了截止电流。根据预期的应用,需要 106至 109的开关比。有机薄膜晶体管的 IDS-VG特性通常表示为转移特性曲线,即恒定的 VDS下,IDS随 VG的变化,或者作为输出特性曲线,即 IDS相对于一组恒定 VG的 VDS(见图 1.3)。输出特性曲线对于确定线性区和饱和区的有效的 VDS范围是有益的。它们还可以确定是否为欧姆接触,也就是说,IDS不会随着低 VDS线性增加,而是呈现典型的 S 形曲线。正常情况下,应绘制正向和反向电压扫描以评估任何可能的载流子的捕获,载流子的捕获会导致电流的滞后。

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本文编号:2818137

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