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高性能CMOS图像传感器阵列模数转换器的设计

发布时间:2020-10-27 22:33
   CIS广泛应用于消费电子、生产科研、军事国防等领域,随着CIS的不断发展,CIS片上集成ADC阵列,有助于提高系统集成度,增强信噪比,信号抗干扰能力和图像传感器读出速度。目前,人们对CIS的性能有了更多的需求,主要集中在高分辨率、高帧频、高动态范围三个方面。本论文对CIS片上列级ADC进行了研究和设计,并成功设计了一款应用于CIS的列级SAR ADC。本论文设计了一款精度为14bit,最高采样率为10MSPS的基于电荷重分配原理的分段电容式SAR ADC。由于CIS片上列级ADC是阵列结构,对面积和功耗的要求相当苛刻。但为了提高精度,就必须加大电容面积;加大电容就会增大ADC面积占用、增加功耗、减慢建立时间;提高比较器精度又进一步增大功耗。CIS片上集成SAR ADC的研究核心是在有限的面积内采用算法克服电容失配,同时解决比较器噪声、电路的不完全建立的问题,解决ADC精度、速度、面积、功耗之间的矛盾。本论文设计采用的是0.18μm 1P4M CMOS工艺,整体芯片面积为4700μm×2000μm。在该芯片上共设计64路列级SAR ADC,单路列级SAR ADC的版图面积为760μm×55μm。在1.8V供电电压下,单路SAR ADC功耗为1.18mW。在采样时钟频率为10MSPS,输入信号频率为4.873046875MHz时,电路仿真结果显示本论文设计的SAR ADC有效位数ENOB为13.19bit,信号与噪声和失真比SNDR为81.1dB,总谐波失真THD为-82.6dB,无杂散动态范围SFDR为82.8dB。该芯片初步测试结果表明,本论文所设计的SAR ADC有效位数为10.20bit,信号与噪声和失真比SNDR为63.2dB,总谐波失真THD为-69.9d B,无杂散动态范围SFDR为71.2dB。
【学位单位】:吉林大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TN792;TP212
【部分图文】:

CMOS图像传感器,靶面


第一章 绪论2展。其中代表作如图1.1所示有分辨率高达1亿5千万像素大靶面CIS芯片GMAX3005,以及高灵敏度背照式 CIS 芯片 GSENCE400BSI。图 1.1 大靶面 CMOS 图像传感器 GMAX3005近年来,CIS 在消费电子和专业领域都取得了巨大成功,除极特殊应用场合外,已基本取代了传统的 CCD 图像传感器。CIS 片上集成模数转换器(Analog to DigitalConverter,ADC)阵列,有助于提高系统集成度,增强信噪比,信号抗干扰能力和图像传感器读出速度。目前,对 CIS 的性能有了更多的需求,体现在下面的三个关键指标:(1)高分辨率。早期的 CIS 分辨率是 VGA(640 480)级别;目前主流高清晰度电视(High Definition Television

数码摄像机


图 1.1 大靶面 CMOS 图像传感器 GMAX3005IS 在消费电子和专业领域都取得了巨大成功,除极特殊应统的 CCD 图像传感器。CIS 片上集成模数转换器(AC)阵列,有助于提高系统集成度,增强信噪比,信号抗干度。目前,对 CIS 的性能有了更多的需求,体现在下面的辨率。早期的 CIS 分辨率是 VGA(640 480)级别;目前主inition Television,HDTV)制式中,1080p 要求单芯片彩色素,4K 级别为 3 千万像素;下一代 8K 版的超高清晰度电vision,UHDTV),对应单芯片彩色 CIS 需要 1.3 亿像素。

二进制,权重


图 3.10 SARADC 传统二进制权重查找方式 ADC 转换和比较过程中可能存在的 DAC 电压不完全建立较器噪声导致的错误比较等,都会使得 SAR 逻辑控制单元电压进而产生错误的 DAC 输出电压。a)所示,以一个采用二进制电容权重的 SARADC 的前 4 位输入电压被划分为 16 个数量级, 为初始输入模拟信号电能输出的 16 个数量级的阈值电压。在比较过程中,比较比较结果,在第一次比较过程中,输入信号电压 低于 DA下降 8 个数量级再次进行比较,依次类推完成 SAR ADb)所示,在采用二进制电容权重的 SARADC 的第二次比 DAC 输出电压差值很小,由于可能存在的比较器噪声、D
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本文编号:2859161

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