当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

三种量子阱系统中非线性光学特性研究

发布时间:2020-11-21 11:09
   这篇文章主要是探讨不同量子阱系统对于非线性光学性质的影响。文章用三个章节分别阐述了质量随位置变化的量子阱,半指数量子阱以及短程无底指数势阱对于不同非线性光学特性的影响。在非线性光学特性方面,本文主要阐述了光吸收系数,折射率变化,三次谐波在不同量子阱的影响下产生的不同变化,以及产生这样变化的原因。文章中,通过求解不同量子阱的薛定谔方程,并将其能级和波函数代入到非线性光学的对应特性下,利用量子阱参数、能级间隙、矩阵元和光强的具体变化来分析存在特殊的量子阱效应时,非线性光学特性的具体变化趋势。经过研究,本文主要得到以下的结论:一,在迭代法和紧致密度矩阵法的框架下,从理论上研究了与位置相关的质量(PDM)对非线性光学吸收系数和折射率变化的影响。通过求解薛定谔方程,得到了本征函数和本征值,从理论上导出了光学吸收系数和折射率变化的解析表达式。研究结果表明,随位移变化的质量对光吸收系数和折射率的改变都有着很强的影响:当考虑质量影响时,它们的峰值均增大。二,关于极化子效应的非线性光学折射率变化的研究。在本章中,首先求出有极化子效应的薛定谔方程的能级和波函数,并代入到折射率变化的非线性情形下。本章不仅分析了有无极化子效应的区别,也分析了有极化子影响时,折射率变化的具体呈现。通过转化,系数f可以用来表征不同状态下的极化子效应。我们发现有极化子影响时,随着极化子系数f的变大,能级间隙E_(21)在减小,使得呈现折射率变化的能量区间减小,发生红移。而f的改变,会使得矩阵元M_(21)形成振荡曲线,曲线的单调性决定了折射率变化峰值的变化。同时强度大的光强对有极化子效应的折射率变化有漂白作用。三,引入一个短程的完全可积的奇异势能,通过超几何函数得出其薛定谔方程的精确解,将结果代入到三次谐波系统后,可以展现出短程反平方势能下三次谐波的特殊现象,即三次谐波系数会呈现出一个镜面的反向状态。同时,我们根据能隙和矩阵元的变化的趋势,具体阐述了三次谐波系数的能级区域、峰值大小及个数的变化。
【学位单位】:广州大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:O437;O471.1
【部分图文】:

质量,取值,变量,薛定谔方程


.1 引言近来,关于求解变质量的薛定谔方程的文章十分热门,质量不再恒定的思想引起的注意。另一方面,大量关于质量随位置变化(position-dependent mass (PDM)薛定谔方程的研究已经被提出[8]。2013 年,Cunha 和 Christiansen 推导出质量随位化的薛定谔方程的解析结果,并计算了不同势能情况下的本征态方程[9]。Navarro在 2014 年,利用 PDM 薛定谔问题对量子信息熵进行了探索,揭示了信息熵密度些有趣的特征[10]。2015 年,Naimi 等人报道了 PDM 对球形纳米结构的影响,结果球形量子点和量子反点纳米结构的光吸收(OA)系数不能忽略电子有效质量的空间[11]。几乎所有以上的工作都主要致力于获取给定的变质量系统的能量本征值和波,质量随位置变化的思想引起了人们的广泛关注,PDM 波动方程在凝聚态物理和统计等不同领域得到了广泛的应用[12-13]。然而,对于具有位置相关质量的非线性光性还没有进行全面地探索。本文将从理论上研究光吸收系数和折射率变化(RICs),究位置相关质量对这些非线性光学性质的影响。

光吸收系数,入射光子,质量变化,折射率变化


州大学硕士学位论文 第二章 随位置改变的质量对量子阱中非线性光吸收系数和折射率变化的影.4 结论分析在这一部分中,本章将研究在 PDM 的影响下非线性光学吸收系数和折射率变化同结果。计算中使用的参数如下: mmkg310*00.0670.0679.1095610 psij121/0.1410 ,2235.010 mv 和71410 Hm。

光吸收系数,入射光子,能量,广州大学


广州大学硕士学位论文 第二章 随位置改变的质量对量子阱中非线性光吸收系数和折射率变化的数 1 和三阶非线性光吸收系数 ,I3 的和。更重要的是,当d 值增大时,光吸系数开始发生红移现象。此特性的原因是当 d 增大时,能隙21E 会变小。
【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 王丽丽;萨仁高娃;赵翠兰;;有限深对称量子阱中电子量子比特的性质[J];内蒙古民族大学学报(自然科学版);2011年03期

2 黄鑫;宋爱民;段利华;;1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计[J];半导体光电;2010年04期

3 王帅;刘如彬;许军;孙强;孙彦铮;;热退火中应变量子阱的扩散激活能的研究[J];电源技术;2009年09期

4 赵段力;廖柯;吕坤颐;;1064nm应变量子阱的理论设计[J];江西通信科技;2009年03期

5 崔伏龙;;量子阱器件的发展及其应用[J];科技创新导报;2009年32期

6 刘靖;孙军强;黄重庆;黄德修;;二维光量子阱共振隧穿光谱特性的改善[J];发光学报;2007年03期

7 黄金昭;徐征;赵谡玲;张福俊;;有机量子阱发光的研究[J];光学与光电技术;2006年05期

8 邓永晴,郭康贤,于凤梅,王瑞强;双量子阱中的折射率改变(英文)[J];广州大学学报(自然科学版);2005年02期

9 徐枝新,王建中,沙娜;准对称耦合量子阱与光开关结构优化设计[J];浙江科技学院学报;2005年03期

10 马宏,朱光喜,陈四海,易新建;金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究[J];物理学报;2004年12期


相关博士学位论文 前10条

1 屈媛;纤锌矿氮化物量子阱中电子迁移率及应变和压力调制[D];内蒙古大学;2010年

2 谢耀平;金属量子阱系统和金纳米结构催化效应的第一性原理研究[D];复旦大学;2009年

3 安宇鹏;光集成中等离子诱导与无杂质空位量子阱混杂技术的研究[D];吉林大学;2009年

4 谷卓;三元混晶纤锌矿量子阱中电子带间跃迁及迁移率[D];内蒙古大学;2017年

5 费宏明;光子晶体量子阱的输运特性[D];山西大学;2009年

6 吴小明;含V形坑的Si衬底GaN基蓝光LED发光性能研究[D];南昌大学;2014年

7 郝明瑞;量子阱红外探测器优化与性能极限研究[D];上海交通大学;2014年

8 Muhammad Ashfaq Jamil;脉冲激光沉积制备ZnO基量子阱及其光学性质研究[D];大连理工大学;2016年

9 胡小英;GaAs/AlGaAs量子阱材料微观结构与器件特性分析研究[D];西安电子科技大学;2013年

10 段利华;1053 nm InGaAs/GaAs量子阱高速超辐射发光二极管的制备与性能研究[D];重庆大学;2015年


相关硕士学位论文 前10条

1 胡美林;三种量子阱系统中非线性光学特性研究[D];广州大学;2019年

2 谷冬霞;双量子阱中拉曼散射的理论研究[D];广州大学;2010年

3 陈彬;耦合双量子阱中的非线性光学特性[D];广州大学;2009年

4 彭霁宇;量子阱半导体光放大器的数值分析与动态特性研究[D];华中科技大学;2008年

5 孙道林;一维光子晶体光量子阱的理论研究[D];北京化工大学;2009年

6 回文静;量子阱中激子效应对微腔激光器的影响[D];河北工业大学;2006年

7 谢锦锦;左手材料与量子阱的耦合机理探究[D];复旦大学;2013年

8 李鹏;外界条件对应变量子阱红外探测器探测峰的影响[D];中北大学;2013年

9 桑胜波;量子阱薄膜结构的机电特性实验研究[D];中北大学;2006年

10 高玲;介电量子阱线中的激子态[D];河北师范大学;2006年



本文编号:2892919

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2892919.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户c467c***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com