新型光纤偏振器及干涉仪设计与应用研究
【学位单位】:曲阜师范大学
【学位级别】:博士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TH744.3;TN253
【部分图文】:
图 1.1 侧面镀制金属膜的 D 型光纤偏振器原理图[6]。抛磨造成 D 型光纤的传输损耗,1983 年,日本的 T. Hosak光纤,芯的一侧利用纯石英作为包层,另一侧利用硼硅酸盐,硼硅酸盐以比纯石英快几倍的速度被蚀刻掉。制作的两nm 处,消光比分别为 22.2 dB、36.6 dB,插入损耗分别为 4高[7]。1987 年美国的 R. B. Dyott 等人,利用腐蚀法制作膜制作光纤偏振器,实现 39dB 的消光比,而插入损耗仅为in Ma与Shiao-Min Tseng将多根单模光纤粘在刻有 V形槽极小插入损耗的 D 型光纤的批量制作,然后利用液晶作到的消光比高于 60dB[9]。
图 1.1 侧面镀制金属膜的 D 型光纤偏振器原理图[6]。免抛磨造成 D 型光纤的传输损耗,1983 年,日本的 T. Hosaka 等同芯光纤,芯的一侧利用纯石英作为包层,另一侧利用硼硅酸盐玻剂后,硼硅酸盐以比纯石英快几倍的速度被蚀刻掉。制作的两个290nm 处,消光比分别为 22.2 dB、36.6 dB,插入损耗分别为 4.2dB大提高[7]。1987 年美国的 R. B. Dyott 等人,利用腐蚀法制作 D 型制铟膜制作光纤偏振器,实现 39dB 的消光比,而插入损耗仅为 0.su-Pin Ma与Shiao-Min Tseng将多根单模光纤粘在刻有 V形槽的硅具有极小插入损耗的 D 型光纤的批量制作,然后利用液晶作为包验得到的消光比高于 60dB[9]。
D 形光纤抛磨面覆盖(a)单石墨烯/ PMMA 复合层;(b)双石墨烯/ PMMA 复振器。(c)偏振器纵向结构;(d)偏振器横截面[12]。指出的是,虽然前文所述这些基于 D 型光纤的偏振器,实现了很高的有一个共同特点,即消光比与起偏振方向都具有固定值,无法进行灵图 1.4 基于液晶与侧面抛磨光纤的光控衰减器[13]。 年暨南大学与台湾的国立暨南大学合作,把具有光敏特性的液晶覆盖,设计出一种光控衰减器[13],如图 1.4 所示。该衰减器对不同方向的
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本文编号:2893003
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