AlGaInP-LED微阵列器件的设计与实验研究
发布时间：2020-12-08 07:24
LED微阵列器件是一种在同一芯片上集成的高密度微小尺寸的发光二极管二维阵列。该器件除具有LED器件固有的光电转换效率高、响应速度快、波长固定、寿命长、耗能低等特点外,作为一种微型阵列器件,还具有高分辨率、高对比度和高集成度的优点,在微显示以及微照明领域具有很广阔的应用前景。本文研究了一种基于Al Ga In P材料的LED微阵列器件。目前,市场上比较成熟的Al Ga In P-LED外延片的发光层一种具有直接带隙的材料,可以通过控制掺杂使其发光波长从555nm到650nm。本论文中所采用的Al Ga In P-LED外延材料是通过在n型Ga As衬底上采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术来生长的。通过对基于通用的Al Ga In P-LED材料的微阵列器件的设计与实验研究,主要完成了以下工作:一、建立了Al Ga In P-LED器件模型,确定了在620nm发光波长下的模型中各膜层的厚度与掺杂浓度数据。根据材料的内量子效率最大化条件（大于85%）确定了器件的最佳工作电压范围,并对带有方环形阳极电极的发光单元进行了热学分析与仿真,得到了各层的热功率密度和温度分布,通过计算得到了有...
【文章来源】：中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)吉林省
【文章页数】：127 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
在过去的50年里可见光LED的发光效率的提升本论文研究的是AlGaInP-LED器件，有源层与GaAs衬底完全匹配，因此在
7图 1.2 LED 微阵列器件的应用前景此外， LED 微阵列器件还可应用于数据通信传输光源中，其高响应速干扰性的性能，使其可在军用武器系统或数据信号传送中得以应用[15-1看，微显示是 LED 微阵列最为主要的应用领域，尽管微显示头盔已经事领域中，但随着微加工技术的日趋成熟和进步，也会推动微显示技术一步提高，从而使得更加轻量化、高分辨率的头戴式、眼镜式显示器件。
科学院大学博士学位论文：AlGaInP-LED 微阵列器件的设计与实验ED 微阵列器件的研究及进展 20 年内，LED 微阵列器件经历了从产生到发展，从。1998 年，德国亚琛工业大学率先开始了对基于 A究，相关研究人员首先通过金属有机物气象外延的方lGaInP-LED 结构材料，并通过湿法腐蚀的方法制作列[24]。图 3 所示为不同体积配比的腐蚀液的腐蚀速溶 液 腐 蚀 后 得 到 的 表 面 形 貌 。 通 过 实 验 的 摸:H2O2体积比为 31:62:7 是比较合适的腐蚀溶液配和较好的表面形貌。列器件的国内外研究现状
【参考文献】：
期刊论文
[1]AlGaInP DH-LED的pn结特性[J]. 高丹,梁静秋,梁中翥,田超,秦余欣,王维彪. 发光学报. 2013(09)
[2]微显示器件的研究进展[J]. 梁静秋. 光机电信息. 2010(12)
[3]InGaN蓝光LED量子效率与注入电流的关系研究[J]. 张福林,林旭,廖欣,何志毅. 光电子.激光. 2009(11)
[4]SILVACO——打造全球领先TCAD技术 对SILVACO中国区总经理何建锡先生的专访[J]. 本刊通信员. 半导体技术. 2009(11)
[5]AlGaInP LED出光效率的模拟[J]. 林岳明,张俊兵,曾祥华. 发光学报. 2009(02)
[6]影响真空蒸发镀膜膜厚的因素分析[J]. 高雁. 太原科技. 2008(09)
[7]LED结温、热阻构成及其影响[J]. 王桥立,夏志清,文静. 现代显示. 2008(06)
[8]高亮度AlGaInP红光发光二极管[J]. 韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地. 光电子.激光. 2008(02)
[9]GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究[J]. 李佳,梁静秋,金霞,孔庆峰,侯凤杰,王维彪. 光电子技术. 2006(04)
[10]LED阵列的设计和制作工艺研究[J]. 梁静秋,李佳,王维彪. 液晶与显示. 2006(06)
硕士论文
[1]LED集成阵列芯片理论及关键工艺研究[D]. 包兴臻.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2013
[2]柔性LED阵列器件的结构设计及制备研究[D]. 高丹.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2013
[3]SOI LDMOS相阵控CCD阵列研究[D]. 洪玲伟.杭州电子科技大学 2011
[4]LED微显示器件的设计和隔离沟槽的制作研究[D]. 金霞.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所） 2006
[5]GaInP/AlGaInP多量子阱外延片的生长与光学性质研究[D]. 陈练辉.华南师范大学 2004
本文编号：2904706
【文章来源】：中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)吉林省
【文章页数】：127 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
在过去的50年里可见光LED的发光效率的提升本论文研究的是AlGaInP-LED器件，有源层与GaAs衬底完全匹配，因此在
7图 1.2 LED 微阵列器件的应用前景此外， LED 微阵列器件还可应用于数据通信传输光源中，其高响应速干扰性的性能，使其可在军用武器系统或数据信号传送中得以应用[15-1看，微显示是 LED 微阵列最为主要的应用领域，尽管微显示头盔已经事领域中，但随着微加工技术的日趋成熟和进步，也会推动微显示技术一步提高，从而使得更加轻量化、高分辨率的头戴式、眼镜式显示器件。
科学院大学博士学位论文：AlGaInP-LED 微阵列器件的设计与实验ED 微阵列器件的研究及进展 20 年内，LED 微阵列器件经历了从产生到发展，从。1998 年，德国亚琛工业大学率先开始了对基于 A究，相关研究人员首先通过金属有机物气象外延的方lGaInP-LED 结构材料，并通过湿法腐蚀的方法制作列[24]。图 3 所示为不同体积配比的腐蚀液的腐蚀速溶 液 腐 蚀 后 得 到 的 表 面 形 貌 。 通 过 实 验 的 摸:H2O2体积比为 31:62:7 是比较合适的腐蚀溶液配和较好的表面形貌。列器件的国内外研究现状
【参考文献】：
期刊论文
[1]AlGaInP DH-LED的pn结特性[J]. 高丹,梁静秋,梁中翥,田超,秦余欣,王维彪. 发光学报. 2013(09)
[2]微显示器件的研究进展[J]. 梁静秋. 光机电信息. 2010(12)
[3]InGaN蓝光LED量子效率与注入电流的关系研究[J]. 张福林,林旭,廖欣,何志毅. 光电子.激光. 2009(11)
[4]SILVACO——打造全球领先TCAD技术 对SILVACO中国区总经理何建锡先生的专访[J]. 本刊通信员. 半导体技术. 2009(11)
[5]AlGaInP LED出光效率的模拟[J]. 林岳明,张俊兵,曾祥华. 发光学报. 2009(02)
[6]影响真空蒸发镀膜膜厚的因素分析[J]. 高雁. 太原科技. 2008(09)
[7]LED结温、热阻构成及其影响[J]. 王桥立,夏志清,文静. 现代显示. 2008(06)
[8]高亮度AlGaInP红光发光二极管[J]. 韩军,李建军,邓军,邢艳辉,于晓东,林委之,刘莹,沈光地. 光电子.激光. 2008(02)
[9]GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究[J]. 李佳,梁静秋,金霞,孔庆峰,侯凤杰,王维彪. 光电子技术. 2006(04)
[10]LED阵列的设计和制作工艺研究[J]. 梁静秋,李佳,王维彪. 液晶与显示. 2006(06)
硕士论文
[1]LED集成阵列芯片理论及关键工艺研究[D]. 包兴臻.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2013
[2]柔性LED阵列器件的结构设计及制备研究[D]. 高丹.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2013
[3]SOI LDMOS相阵控CCD阵列研究[D]. 洪玲伟.杭州电子科技大学 2011
[4]LED微显示器件的设计和隔离沟槽的制作研究[D]. 金霞.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所） 2006
[5]GaInP/AlGaInP多量子阱外延片的生长与光学性质研究[D]. 陈练辉.华南师范大学 2004
本文编号：2904706
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2904706.html
