InZnO基双有源层TFT的研制
发布时间：2020-12-08 14:12
近年来,金属氧化物薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）作为TFT-LCD和AMOLED的半导体开关,以其较高的迁移率,大面积均匀性,可见光范围内透光率高得到了越来越多的关注。研究者们对InZnO（IZO）基TFT进行了广泛的研究,其中IZO:N TFT和IZO:Li TFT的迁移率可分别高达39.3 cm2V-1S-1和80.4 cm2V-1s·-1,但它们的退火温度都高达950°C。过高的退火温度使得制备成本太高不利于工业生产。为了降低制备IZO基TFT的退火温度,我们尝试制备IZO基双有源层TFT。与探寻新有源层材料相比,改变TFT的有源层结构是一种具有战略意义和实用价值的方法。主要研究工作如下:1、在氧气气氛中退火温度为120℃的条件下,用磁控溅射的方法制备了双有源层IZO:Li/InZnSnO（IZTO）TFT,分别研究了双有源层结构中靠近栅绝缘层的下层IZO:Li薄膜厚度和靠近源漏铝电极的上层IZTO薄膜厚度对IZO:Li/IZTO TFT电学性能的影响。2、用磁控溅射的方法制备了 IZO:N/IZTO TFT。首先,在退火气氛为氧气的条件下,研究了...
【文章来源】：北京交通大学北京市 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：53 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１－２?ＴＦＴ－ＬＣＤ亚像素等效电路原理图??Ｆｉｇｕｒｅ?１－２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｓｕｂｐｉｘｅｌ?ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｏｆ?ＴＦＴ－ＬＣＤ??
图２－１双有源层ｌＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯＴＦＴ的结构示意图??Ｆｉｇｕｒｅ?２－１?Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｄｏｕｂｌｅ?ａｃｔｉｖｅ?ｌａｙｅｒ?！ＺＯ：Ｌｉ／ｌＺＴＯ?ＴＦＴ??双有源层ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ的结构如图２－１所示。首先使用射频磁控派射在??Ｓｉ０２／ｐ－Ｓｉ衬底上沉积ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜，其次使用恒温程式管式炉对石英管中的??ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜样品在氧气气氛下进行１２０?°Ｃ的退火处理。退火３０?ｍｉｎ后再用真??空蒸镀的方法给ＩＺＯ：Ｕ／ＩＺＴＯ薄膜样品镀Ａ１电极。将制备完成的ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ??使用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ?ＳＣＳ－４２００半导体性能测试仪对其性能进行测试。详细的制备过程如??下：??（１）衬底的选择与清洗??本论文中使用ｐ－Ｓｉ?（ｐ＜０．０ｉｎ?ｃｍ）作为ＴＦＴ的衬底，在衬底上通过热氧化生??成一层２００?ｎｍ的Ｓｉ０２作为ＴＦＴ的绝缘层。在溅射沉积有源层之前，先对切割好的??９??
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【参考文献】：
期刊论文
[1]金属氧化物薄膜晶体管最新研究进展[J]. 王春兰,李玉庆,韩莎,姚奇,高博. 纺织高校基础科学学报. 2018(04)
博士论文
[1]新型金属氧化物薄膜晶体管的性能研究及工艺开发[D]. 罗东向.华南理工大学 2014
硕士论文
[1]IGZO薄膜性能的研究及改善[D]. 汤猛.江南大学 2017
[2]金属氧化物薄膜和晶体管的制备与性能研究[D]. 谭惠月.青岛大学 2015
本文编号：2905219
【文章来源】：北京交通大学北京市 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：53 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
图１－２?ＴＦＴ－ＬＣＤ亚像素等效电路原理图??Ｆｉｇｕｒｅ?１－２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｓｕｂｐｉｘｅｌ?ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｏｆ?ＴＦＴ－ＬＣＤ??
图２－１双有源层ｌＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯＴＦＴ的结构示意图??Ｆｉｇｕｒｅ?２－１?Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｄｏｕｂｌｅ?ａｃｔｉｖｅ?ｌａｙｅｒ?！ＺＯ：Ｌｉ／ｌＺＴＯ?ＴＦＴ??双有源层ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ的结构如图２－１所示。首先使用射频磁控派射在??Ｓｉ０２／ｐ－Ｓｉ衬底上沉积ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜，其次使用恒温程式管式炉对石英管中的??ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜样品在氧气气氛下进行１２０?°Ｃ的退火处理。退火３０?ｍｉｎ后再用真??空蒸镀的方法给ＩＺＯ：Ｕ／ＩＺＴＯ薄膜样品镀Ａ１电极。将制备完成的ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ??使用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ?ＳＣＳ－４２００半导体性能测试仪对其性能进行测试。详细的制备过程如??下：??（１）衬底的选择与清洗??本论文中使用ｐ－Ｓｉ?（ｐ＜０．０ｉｎ?ｃｍ）作为ＴＦＴ的衬底，在衬底上通过热氧化生??成一层２００?ｎｍ的Ｓｉ０２作为ＴＦＴ的绝缘层。在溅射沉积有源层之前，先对切割好的??９??
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【参考文献】：
期刊论文
[1]金属氧化物薄膜晶体管最新研究进展[J]. 王春兰,李玉庆,韩莎,姚奇,高博. 纺织高校基础科学学报. 2018(04)
博士论文
[1]新型金属氧化物薄膜晶体管的性能研究及工艺开发[D]. 罗东向.华南理工大学 2014
硕士论文
[1]IGZO薄膜性能的研究及改善[D]. 汤猛.江南大学 2017
[2]金属氧化物薄膜和晶体管的制备与性能研究[D]. 谭惠月.青岛大学 2015
本文编号：2905219
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