强激光场中高次谐波和非序双电离研究
发布时间：2020-12-14 09:39
原子、分子与超强激光之间的作用一直受到人们的广泛关注。近几年来,随着激光技术的迅猛发展,激光场强度大幅提高,超强激光场与原子、分子作用的研究得到进一步的发展。随着激光场强度的逐渐提高,出现了诸如多光子电离、隧穿电离、高次谐波产生、非序双电离等一系列全新的非线性物理现象。其中,通过对高次谐波的研究,不仅可以促进非微扰理论的发展,还提供了简单的全相干短波长光源产生方法。原子、分子的非序双电离过程能够提供一种简单的电子关联模型,对化学键的形成、超导现象、固体的性质都有重要的影响。强激光场与原子分子的作用是极端非线性过程,对它的研究有助于原子、分子结构的深入探索,同时也促进分子成像技术的发展,奠定了观察和控制分子化学反应过程的基础。本文应用理论去模拟实验观测到的强场中的原子分子的变化,开展了以下工作的研究:（1）模拟计算了不同波长、强度的激光场下的原子、分子的高次谐波谱,由截止能量的变化规律来分析不同激光场对原子分子高次谐波的影响;我们选用相同激光条件下的不同分子（N2,O2）及其对照原子（Ar,Xe）并计算其高次谐波谱,说明了电离抑制对高次谐波谱的...
【文章来源】：浙江理工大学浙江省
【文章页数】：58 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
激光输出的峰值功率及其物理领域随年代的变化
reshold Ionization，ATI)79 年取得了新的成就，他们研究发现 Xe 的量隔开的峰组成。像这种原子、分子在电间距为光子能量的峰组成的现象，称为阈阈上电离示意图。在随后的实验中[14-18]，往采用微扰理论（LOPT）来解释：ppnsnsnEnshII ()/2n 为电离所需要的最少光子数， Ip是电离中 s 大于 0 时，为阈上电离，等于 0 时为多
图 1.3 阈上电离能量谱[18]Figure 1.3 energy spectrum of Above-threshold ionizunneling Ionization，TI)Keldysh 等人[22]作出推论：当原子与足够高强就会发生畸变，形成势垒。所谓的隧穿电离(T势垒的束缚发生电离的过程。在理论和实验中的[20,21]。图 1.4 是隧穿电离的示意图，从图中我们，势垒的右侧处于较低的势能点，电子电离所需强度的增加，势垒会变得更低，电子更容易发
【参考文献】：
博士论文
[1]简单分子隧穿电离中的振动影响[D]. 张美霞.吉林大学 2015
[2]基于中红外飞秒激光场的原子分子电离行为若干问题的研究[D]. 林志阳.中国科学院研究生院（武汉物理与数学研究所） 2013
硕士论文
[1]强激光场中氢分子非次序双电离电子关联性的理论研究[D]. 杨培辉.浙江理工大学 2017
本文编号：2916219
【文章来源】：浙江理工大学浙江省
【文章页数】：58 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
激光输出的峰值功率及其物理领域随年代的变化
reshold Ionization，ATI)79 年取得了新的成就，他们研究发现 Xe 的量隔开的峰组成。像这种原子、分子在电间距为光子能量的峰组成的现象，称为阈阈上电离示意图。在随后的实验中[14-18]，往采用微扰理论（LOPT）来解释：ppnsnsnEnshII ()/2n 为电离所需要的最少光子数， Ip是电离中 s 大于 0 时，为阈上电离，等于 0 时为多
图 1.3 阈上电离能量谱[18]Figure 1.3 energy spectrum of Above-threshold ionizunneling Ionization，TI)Keldysh 等人[22]作出推论：当原子与足够高强就会发生畸变，形成势垒。所谓的隧穿电离(T势垒的束缚发生电离的过程。在理论和实验中的[20,21]。图 1.4 是隧穿电离的示意图，从图中我们，势垒的右侧处于较低的势能点，电子电离所需强度的增加，势垒会变得更低，电子更容易发
【参考文献】：
博士论文
[1]简单分子隧穿电离中的振动影响[D]. 张美霞.吉林大学 2015
[2]基于中红外飞秒激光场的原子分子电离行为若干问题的研究[D]. 林志阳.中国科学院研究生院（武汉物理与数学研究所） 2013
硕士论文
[1]强激光场中氢分子非次序双电离电子关联性的理论研究[D]. 杨培辉.浙江理工大学 2017
本文编号：2916219
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2916219.html
