表面液晶-垂直腔面发射激光器阵列的热特性
发布时间:2020-12-15 02:12
液晶与垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)阵列结合可实现波长可调谐、偏振精确控制等,同时液晶的引入也会改变垂直腔面发射半导体激光器阵列的热特性,本文设计了表面液晶-垂直腔面发射激光器阵列结构,并开展了阵列的热特性实验研究.对比分析了向列相液晶层对VCSEL阵列热特性的影响,实验结果表明, 1×1, 2×2, 3×3三种表面液晶-VCSEL阵列的阈值电流温度变化率最高可降低23.6%,热阻降低26.75%;同时,激光器阵列各发光单元之间的温度均匀性显著提高,出光孔与周围温差小于0.5℃.综上所述,VCSEL阵列中液晶层的引入不仅大大加速激光器阵列单元热量扩散,而且降低了有源区结温,提高了VCSELs激光器阵列热特性,为实现高光束质量的单偏振波长可控VCSEL激光器阵列打下了良好的理论和实验基础.
【文章来源】:物理学报. 2020年06期 北大核心
【文章页数】:6 页
【参考文献】:
期刊论文
[1]表面液晶-垂直腔面发射激光器温度特性的研究[J]. 王强,关宝璐,刘克,史国柱,刘欣,崔碧峰,韩军,李建军,徐晨. 物理学报. 2013(23)
[2]808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究[J]. 张永明,钟景昌,路国光,秦莉,赵英杰,郝永芹,姜晓光. 光子学报. 2006(01)
本文编号:2917450
【文章来源】:物理学报. 2020年06期 北大核心
【文章页数】:6 页
【参考文献】:
期刊论文
[1]表面液晶-垂直腔面发射激光器温度特性的研究[J]. 王强,关宝璐,刘克,史国柱,刘欣,崔碧峰,韩军,李建军,徐晨. 物理学报. 2013(23)
[2]808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究[J]. 张永明,钟景昌,路国光,秦莉,赵英杰,郝永芹,姜晓光. 光子学报. 2006(01)
本文编号:2917450
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