自组装制备In 2 Se 3 /SnSe 2 异质结构阵列来抑制暗电流和增强对弱信号的响应（英文）

发布时间：2020-12-25 03:38

　　基于层状材料的范德华（vdWs）异质结构在下一代光电器件中显示出巨大潜力.迄今为止,基于堆叠或外延生长技术,已有多种vdWs异质结构被研究.然而,由于vdWs异质结的合成过程复杂,难以大规模集成异质结构器件阵列,对其实际应用造成了极大的限制.本文中,我们通过脉冲激光沉积技术自组装制备了面外垂直In₂Se₃/SnSe₂异质结构的平面光电探测器阵列,利用垂直内建电场来抑制暗电流并分离光生载流子.所构建的器件具有6.3 pA的超低暗电流,8.8×10¹¹Jones的高检测率和超过3×10⁴的高信噪比.这些性能指标不仅比纯In₂Se₃器件高一个数量级,还展示了探测微弱信号的独特优势.另外,该异质结构光电探测器阵列也可以构建在柔性聚酰亚胺衬底上,制备柔性器件.这些器件同样显示出有效的光电探测能力,即使弯曲200次后,光响应仍保持不变.这些发现为下一代大面积和高集成度光电技术的发展奠定了基础. 

【文章来源】：Science China Materials. 2020年08期

【文章页数】：21 页


本文编号：2936885