硅转接板硅通孔互连线的建模与仿真
发布时间：2020-12-25 05:33
2.5D集成技术是指在无源硅衬底(硅转接板)上堆叠数个有源芯片。数个有源芯片放到无源的硅转接板上。由于硅转接板是无源基板层,其内不含晶体管,因此不用考虑TSV应力以及散热难题。2.5D集成不仅是3D集成技术的过渡,而且还是十分重要的集成电路技术。本文首先介绍三维集成技术和2.5D集成技术的研究背景、意义和现状,分析了硅通孔互连结构的不同形状。本文整理了求解与建模仿真过程中涉及的基础的电磁场理论与方程求解的概念。本文主要对2.5D集成的环形硅通孔对和硅芯环形同轴硅通孔进行建模与仿真,包括电学特性和信号完整性的分析。在Matlab软件中进行计算和提取RLCG以及阻抗、导纳参数,得到非线性变化的MOS电容;在ADS设计工具中完成等效电路原理图的建模,在HFSS仿真工具中完成模型建模,然后比较两个仿真结果的S参数,验证提取参数方法、等效电路和模型的准确性。
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：78 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
D集成电路与硅通孔互连线
（a） （b）图 1-2 硅通孔结构(a)三维视图；(b)横截面视图[2]圆柱型硅通孔圆柱 TSV 传输结构是最简单的 TSV 结构。2010 年，Universityof LasadKatti 等人提出[3]了一个偏置电压（大于平带电压并小于阈值电层宽度的方程。由于当时是研究硅通孔的起步时期，在后来被证明这误差。同年，University of California,UC Santa Barbara 的 Chuan X一个正确的偏置电压关于耗尽层宽度的方程，该方程是基于圆柱形如图 1-3 所示。
（a） （b）-2 硅通孔结构(a)三维视图；(b)横截面视构是最简单的 TSV 结构。2010 年出[3]了一个偏置电压（大于平带电由于当时是研究硅通孔的起步时期niversity of California,UC Santa Bar电压关于耗尽层宽度的方程，该方
本文编号：2937051
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：78 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
D集成电路与硅通孔互连线
（a） （b）图 1-2 硅通孔结构(a)三维视图；(b)横截面视图[2]圆柱型硅通孔圆柱 TSV 传输结构是最简单的 TSV 结构。2010 年，Universityof LasadKatti 等人提出[3]了一个偏置电压（大于平带电压并小于阈值电层宽度的方程。由于当时是研究硅通孔的起步时期，在后来被证明这误差。同年，University of California,UC Santa Barbara 的 Chuan X一个正确的偏置电压关于耗尽层宽度的方程，该方程是基于圆柱形如图 1-3 所示。
（a） （b）-2 硅通孔结构(a)三维视图；(b)横截面视构是最简单的 TSV 结构。2010 年出[3]了一个偏置电压（大于平带电由于当时是研究硅通孔的起步时期niversity of California,UC Santa Bar电压关于耗尽层宽度的方程，该方
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