基于GaAs/GaN工艺的单片宽带放大器研究

发布时间：2020-12-25 08:28

　　MMIC电路具有尺寸小、重量轻、可靠性高等优势,在相控阵雷达、仪器仪表、卫星通信、光纤系统等领域有着广泛的应用。低噪声放大器和功率放大器是射频前端电路中的关键部件。无线通信技术的快速发展,对宽带MMIC放大器有着广泛的需求,因此对宽带MMIC放大器的研究具有重要的意义。本文对宽带放大器常见的电路进行了对比分析。本文使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款工作带宽为2～6GHz的宽带MMIC低噪声放大器电路。整体电路结构采用两级级联放大的结构。低噪声放大器的供电部分采用单电源供电,该供电结构具有结构简单的优点。对于低噪声放大器的第一级,采用在晶体管源极串联电感折中噪声匹配和输入匹配。低噪声放大器的两级电路均采用并联负反馈技术,从而扩展电路的工作带宽。本文分析了 MMIC低噪声放大器的电路原理图和版图设计的方法。版图仿真结果表明,在工作带宽2～6GHz范围内,MMIC低噪声放大器的噪声系数小于1.6dB,增益达到19～19.4dB,输入端反射系数S11小于-12.8dB,输出端反射系数S22小于-8.3dB。GaNHEMT具有较大的输出功率、较高的工作效率等优势。本文采用0.... 

【文章来源】：合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：71 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图１．１世界上第一款ＭＭＩＣ放大器??

第五章基于ＧａＮ工艺的宽带功率放大器设计??作带宽的中心频率／〇＝３ＧＨＺ处对应的电感值为１＝３．４２１＾。同理可Ｃ２与并联电容Ｃ３的电容值，串联电感。的电感值以及元件对应５．７所示。Ｃｈ?组成的匹配网络向输出端方向的阻抗为Ｚ！。同理，Ｃ３组成的匹配网络向输出端方向的阻抗为Ｚ２。整个输出级匹配网络的阻抗为Ｚ３。Ｚｉ、Ｚ２、Ｚ３在Ｓｍｉｔｈ圆图上的分布情况如图５．８所示知，输出级匹配网络的阻抗与通过负载牵引得到的输出功率所对。??ｚ

第五章基于ＧａＮ工艺的宽带功率放大器设计??作带宽的中心频率／〇＝３ＧＨＺ处对应的电感值为１＝３．４２１＾。同理可Ｃ２与并联电容Ｃ３的电容值，串联电感。的电感值以及元件对应５．７所示。Ｃｈ?组成的匹配网络向输出端方向的阻抗为Ｚ！。同理，Ｃ３组成的匹配网络向输出端方向的阻抗为Ｚ２。整个输出级匹配网络的阻抗为Ｚ３。Ｚｉ、Ｚ２、Ｚ３在Ｓｍｉｔｈ圆图上的分布情况如图５．８所示知，输出级匹配网络的阻抗与通过负载牵引得到的输出功率所对。??ｚ

【参考文献】：
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硕士论文
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[4]X波段GaN HEMT单片集成功率放大器设计[D]. 黄冬冬.西安电子科技大学 2010
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本文编号：2937294