Cd 1-x Mn x Te/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率的研究
发布时间：2021-01-02 16:44
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdTe具有较宽的禁带宽度和直接跃迁的物理特性,宽禁带直接跃迁型半导体是发展光电子技术的理想材料,在固体发光、激光、红外探测和制作高速光开关等精密光学器件领域具有广泛应用。如果在CdTe中掺入具有磁性的Mn2+,可以使CdMnTe材料同时具备磁性材料和半导体材料的特殊物理性质,比如利用它的法拉第效应可以制作光学隔离器件,将之运用到光通信中,可以提高光波在传输过程中的效率。对Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱的光学性质进行理论研究,不仅可以丰富人们对低维半导体结构新颖光学性质的认识,而且可以设计与制作各类高性能的光通信器件,因此具有很重要的意义。本文在运用有效质量包络函数近似理论和打靶法的基础上,利用费米黄金法则对Cd1-xMnxTe/CdTe材料三种不同量子阱结构中电子-LO声子的散射率进行了理论研究,其主要内容如下:1.简单介绍了光通信的发展,量子阱在光通信方面的应用和Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱材料,并对电子-LO声子散射...
【文章来源】：曲阜师范大学山东省
【文章页数】：52 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
Abstract
第1章 绪论
1.1 光通信的发展
1.2 量子阱材料在光通信方面的应用
1-xMnxTe/CdTe量子阱材料"> 1.3 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱材料
1.4 电子-LO声子散射率
1.5 本论文的主要工作
第2章 理论计算方法
2.1 有效质量包络函数近似
2.2 打靶法
2.3 散射率的计算
1-xMnxTe/CdTe单量子阱中电子-LO声子散射率">第3章 Cd1-xMnxTe/CdTe单量子阱中电子-LO声子散射率
3.1 引言
3.2 理论模型
3.3 结果及讨论
3.3.1 无外场作用下的散射率
3.3.2 电场对单量子阱散射率的影响
3.4 结论
1-xMnxTe/CdTe双量子阱中电子-LO声子散射率">第4章 Cd1-xMnxTe/CdTe双量子阱中电子-LO声子散射率
4.1 引言
4.2 理论模型
4.3 结果及讨论
4.3.1 无外场作用下的散射率
4.3.2 电场对双量子阱散射率的影响
4.4 结论
1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱中电子-LO声子散射率">第5章 Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱中电子-LO声子散射率
5.1 引言
5.2 理论方法
5.3 结果及讨论
5.3.1 无外场作用下的散射率
5.3.2 电场对抛物量子阱散射率的影响
5.4 结论
第6章 总结与展望
参考文献
在读期间发表的学术论文及研究成果
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]耦合半导体双量子阱中光学双稳态的相干调控[J]. 陈渊,邝耘丰,陈爱喜. 光学学报. 2015(10)
[2]Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究[J]. 张金凤,王海龙,龚谦. 量子电子学报. 2015(05)
[3]移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究（英文）[J]. 梁巍,王林军,张继军,秦凯丰,赖建明,吴文其. 人工晶体学报. 2015(04)
[4]自由空间光通信系统中弱大气湍流引起的相位波动和强度闪烁对DPSK调制系统的影响（英文）[J]. 王怡,章奥,马晶,谭立英. 红外与激光工程. 2015(02)
[5]CdTe量子点的室温激子自旋弛豫动力学[J]. 朱孟龙,董玉兰,钟海政,何军. 物理学报. 2014(12)
[6]Multisubband electron mobility in a parabolic quantum well structure under the influence of an applied electric field[J]. N.Sahoo,T.Sahu. Journal of Semiconductors. 2014(01)
[7]Electron-phonon coupling in cuprate and iron-based superconductors revealed by Raman scattering[J]. 张安民,张清明. Chinese Physics B. 2013(08)
[8]Inter valley phonon scattering mechanism in strained Si/（101）Si1-xGex[J]. 靳钊,乔丽萍,刘策,郭晨,刘立东,王江安. Journal of Semiconductors. 2013(07)
[9]Electronic Raman scattering in double semi-parabolic quantum wells[J]. N. Zamani,A. Keshavarz,M. J. Karimi. Chinese Physics B. 2013(05)
[10]库仑场对抛物线性限制势二能级系统量子点量子比特概率密度的影响(英文)[J]. 陈英杰,肖景林. 量子电子学报. 2012(05)
本文编号：2953274
【文章来源】：曲阜师范大学山东省
【文章页数】：52 页
【学位级别】：硕士
【文章目录】：
摘要
Abstract
第1章 绪论
1.1 光通信的发展
1.2 量子阱材料在光通信方面的应用
1-xMnxTe/CdTe量子阱材料"> 1.3 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱材料
1.4 电子-LO声子散射率
1.5 本论文的主要工作
第2章 理论计算方法
2.1 有效质量包络函数近似
2.2 打靶法
2.3 散射率的计算
1-xMnxTe/CdTe单量子阱中电子-LO声子散射率">第3章 Cd1-xMnxTe/CdTe单量子阱中电子-LO声子散射率
3.1 引言
3.2 理论模型
3.3 结果及讨论
3.3.1 无外场作用下的散射率
3.3.2 电场对单量子阱散射率的影响
3.4 结论
1-xMnxTe/CdTe双量子阱中电子-LO声子散射率">第4章 Cd1-xMnxTe/CdTe双量子阱中电子-LO声子散射率
4.1 引言
4.2 理论模型
4.3 结果及讨论
4.3.1 无外场作用下的散射率
4.3.2 电场对双量子阱散射率的影响
4.4 结论
1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱中电子-LO声子散射率">第5章 Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱中电子-LO声子散射率
5.1 引言
5.2 理论方法
5.3 结果及讨论
5.3.1 无外场作用下的散射率
5.3.2 电场对抛物量子阱散射率的影响
5.4 结论
第6章 总结与展望
参考文献
在读期间发表的学术论文及研究成果
致谢
【参考文献】：
期刊论文
[1]耦合半导体双量子阱中光学双稳态的相干调控[J]. 陈渊,邝耘丰,陈爱喜. 光学学报. 2015(10)
[2]Cd1-xMnxTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究[J]. 张金凤,王海龙,龚谦. 量子电子学报. 2015(05)
[3]移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究（英文）[J]. 梁巍,王林军,张继军,秦凯丰,赖建明,吴文其. 人工晶体学报. 2015(04)
[4]自由空间光通信系统中弱大气湍流引起的相位波动和强度闪烁对DPSK调制系统的影响（英文）[J]. 王怡,章奥,马晶,谭立英. 红外与激光工程. 2015(02)
[5]CdTe量子点的室温激子自旋弛豫动力学[J]. 朱孟龙,董玉兰,钟海政,何军. 物理学报. 2014(12)
[6]Multisubband electron mobility in a parabolic quantum well structure under the influence of an applied electric field[J]. N.Sahoo,T.Sahu. Journal of Semiconductors. 2014(01)
[7]Electron-phonon coupling in cuprate and iron-based superconductors revealed by Raman scattering[J]. 张安民,张清明. Chinese Physics B. 2013(08)
[8]Inter valley phonon scattering mechanism in strained Si/（101）Si1-xGex[J]. 靳钊,乔丽萍,刘策,郭晨,刘立东,王江安. Journal of Semiconductors. 2013(07)
[9]Electronic Raman scattering in double semi-parabolic quantum wells[J]. N. Zamani,A. Keshavarz,M. J. Karimi. Chinese Physics B. 2013(05)
[10]库仑场对抛物线性限制势二能级系统量子点量子比特概率密度的影响(英文)[J]. 陈英杰,肖景林. 量子电子学报. 2012(05)
本文编号：2953274
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2953274.html
