一种SiC-MOSFET驱动的低频线性功率放大器设计

发布时间：2021-01-07 20:54

　　随着科学进步与社会发展,以音频功放为首的低频功率放大器得到了越来越多的关注。如今的消费类功放领域,低成本、小体积、大功率和高品质成为了主要的发展方向,尤其是在家用功放中普遍使用AB类功率放大器,因为其效率低且发热量很高,并且体积庞大,所以优化偏置的B类功率放大器是一个比较折中的方案,其具有较高的效率,更低的失真和更大的电磁干扰宽容度。因此,根据市场发展方向和应用场合要求,设计一种具有更高的输出功率、更低的失真、更小的体积和更低廉的价格的新型B类功率放大器,具有非常实际的意义。本文在对比分析了常用功率放大器结构优缺点的基础上,结合传统三级式B类功功率放大器结构,设计完成了一款使用碳化硅MOSFET作为功率输出管的优化偏置的新型B类功率放大器,其具有输出功率高、效率高、失真低等特点。基于碳化硅MOSFET的电学特性与B类功率输出级的结构选择,具体分析了功率输出级在应用碳化硅MOSFET后的具体结构与工作原理,并完成了使用碳化硅MOSFET的改良型Baxandall准互补输出电路。基于线性功率放大器效率低而引起发热高的特点,设计了一种用于提高线性功率放大器工作效率的辅助电路,包括输出电流检测... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：71 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

C2M008120D器件的电学特性测试电路

第三章碳化硅低频线性功率放大器的电路设计19图3-1C2M008120D器件的电学特性测试电路(a)(b)(c)图3-2碳化硅MOSFET的电学特性。(a)C2M008120D的输出特性曲线；(b)C2M008120D的输入特性曲线；(c)C2M008120D的开态沟道电阻曲线

本文应用于半桥LLC

【参考文献】：
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本文编号：2963227