倍频蓝光/绿光外腔面发射激光器研究
发布时间：2021-01-07 23:27
垂直外腔面发射激光器作为一种新型的半导体激光器,结合了固体薄片激光器和垂直腔面发射半导体激光器的优点,具有较高的输出功率和良好的光束质量。其灵活的外腔结构设计,可以在腔内放置非线性倍频晶体,对垂直外腔面发射激光器进行腔内倍频,实现激光波长的扩展。论文简述了垂直外腔面发射激光器的发展历史及研究意义,总结了垂直外腔面发射激光器的优点,并概括了倍频外腔面发射激光器的研究现状及应用。介绍了垂直外腔面发射激光器的基本结构,阐述了垂直外腔面发射激光器的工作原理及运行机制,并对比分析了两种不同量子阱结构的增益芯片。利用小信号模型,通过求解二次谐波的耦合波方程,阐述了二次谐波的产生原理,推导出倍频转换效率,并简要分析了影响倍频转换效率的因素。在此基础上,详细分析了倍频外腔面发射激光器的相关理论,对晶体的非线性特性进行了详细描述,综合考虑各因素对腔内倍频的影响,对倍频过程中晶体的选择做出了优化。结合垂直外腔面发射激光器热管理的基本理论,分析了热效应对垂直腔面发射激光器性能的影响。对液体毛细键合SiC热沉进行了实验研究,提出了增益芯片与SiC片表面清洁度对键合的影响,并在常温下成功将SiC片与增益芯片通过...
【文章来源】：重庆师范大学重庆市
【文章页数】：61 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
腔内倍频VECSELs所用非线性晶体、实现波长及输出功率
大学硕士学位论文 2 倍频 VECSELss 增益芯片底部的 DBR 一起构成。相比 VCSELs 而言，VCSE 面，其输出耦合镜（Output Coupler mirror, OC）取代了其中一个 D的腔形结构扩展到外腔，通过改变输出耦合镜的放置位置，可激光器的腔长，从而获得更有效的激光输出模式；其次在s 量子阱的个数高于 VCSELs，这有利于获得更高的模式增益用光泵浦，在 VECSELs 生长的过程中不需要对 VECSELs 进制孔径以及欧姆接触[12]。2.2 是 VECSELs 增益芯片的工作原理结构图[10-12]，泵浦光以小焦到 VECSELs 增益片上，被 MQW 有源区的泵浦吸收层吸收；光生载流子在势垒层扩散，被带隙能更小的量子阱捕获于阱子在量子阱中发生辐射复合，从激发态跃迁到基态，发射出光辐射。
硕士学位论文 2 倍频 VECELs 芯片结构Ls 芯片的生长是以 GaAs 基质作为衬底采用分子束外延y, MBE）或金属有机化合物化学气相沉淀（Metal-Orgition, MOCVD）的方法逐层生长 DBR 反射镜层和 MQLs 芯片的结构主要以正向生长的顶发射式和逆序生长的构如图 2.3 所示。
本文编号：2963449
【文章来源】：重庆师范大学重庆市
【文章页数】：61 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
腔内倍频VECSELs所用非线性晶体、实现波长及输出功率
大学硕士学位论文 2 倍频 VECSELss 增益芯片底部的 DBR 一起构成。相比 VCSELs 而言，VCSE 面，其输出耦合镜（Output Coupler mirror, OC）取代了其中一个 D的腔形结构扩展到外腔，通过改变输出耦合镜的放置位置，可激光器的腔长，从而获得更有效的激光输出模式；其次在s 量子阱的个数高于 VCSELs，这有利于获得更高的模式增益用光泵浦，在 VECSELs 生长的过程中不需要对 VECSELs 进制孔径以及欧姆接触[12]。2.2 是 VECSELs 增益芯片的工作原理结构图[10-12]，泵浦光以小焦到 VECSELs 增益片上，被 MQW 有源区的泵浦吸收层吸收；光生载流子在势垒层扩散，被带隙能更小的量子阱捕获于阱子在量子阱中发生辐射复合，从激发态跃迁到基态，发射出光辐射。
硕士学位论文 2 倍频 VECELs 芯片结构Ls 芯片的生长是以 GaAs 基质作为衬底采用分子束外延y, MBE）或金属有机化合物化学气相沉淀（Metal-Orgition, MOCVD）的方法逐层生长 DBR 反射镜层和 MQLs 芯片的结构主要以正向生长的顶发射式和逆序生长的构如图 2.3 所示。
本文编号：2963449
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