600V低损耗沟槽IGBT器件新结构研究

发布时间：2021-01-08 08:38

　　在中高功率领域,IGBT以其优异的性能广泛应用于各种变频调速系统中,成为新能源汽车、电机控制、空调、机车牵引、高压直流输电等领域的核心功率开关器件之一。近年来,随着IGBT技术发展,业界对高功率密度低损耗器件提出了迫切需求。本文针对传统沟槽IGBT器件存在的问题,提出了两种新型低损耗结构,既改善了器件正向导通压降V_CEON与关断损耗E_OFF之间的折中特性,又改善了续流二极管（Free-wheeling diode,FWD）反向恢复时dV_AK/dt与IGBT导通损耗E_ON之间的折中特性。主要研究内容如下:1、提出一种具有浮空P型基区的双分裂栅沟槽IGBT（Dual split gate IGBT with floating p-well,DSG-FP IGBT）结构。通过在沟槽中引入与发射极等电位的双分裂电极,一方面避免了器件开启时浮空P型基区（Floating p-well）产生的位移电流I_dis对栅极驱动电流I_G的影响,降低了EMI（Electromag... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：78 页

【学位级别】：硕士

【图文】：

CSTBT结构示意图

SA-IGBT结构示意图

FinP-bodyIGBT结构示意图

【参考文献】：
期刊论文
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[9]IGBT技术发展综述[J]. 叶立剑,邹勉,杨小慧.  半导体技术. 2008(11)
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博士论文
[1]新型功率半导体器件的研究及其终端耐压层的利用[D]. 吕信江.电子科技大学 2014

硕士论文
[1]IGBT功耗优化的研究[D]. 凌宇.沈阳工业大学 2013
[2]偏移场板和场限环终端结构设计方法的研究[D]. 李瑞贞.北京工业大学 2003
[3]新结构低功耗IGBT的研究[D]. 高琰.北京工业大学 2002



本文编号：2964279