张应变GaInP量子阱激光器外延材料特性分析
发布时间：2021-01-13 12:49
虽然国内的红光半导体激光器早已实现商品化,但研制的红光激光器波长多集中在大于655 nm的红光波段,主要面向数据存储、娱乐指示、生物医学等应用领域。近年来随着激光显示技术的快速发展,短波长红光激光器芯片的需求日益增多。张应变GaInP量子阱结构是实现短波长红光的关键,而国内在此领域的研究报道很少,因此有关张应变GaInP量子阱激光器的研究愈发重要。本论文首先理论分析了不同应变GaInP的材料特性,在此基础上模拟计算了GaInP组分和应变、量子阱厚度、量子垒厚度、上波导层厚度、P型限制层厚度及掺杂浓度等重要参数对激光器性能的影响规律。结果表明且当量子阱组分为Ga0.575In0.425P,厚度为9 nm,量子垒组分为（Al0.59Ga0.41）0.52In0.48,厚度为9nm,波导层组分为（Al0.59Ga0.41）0.52In0.48P,厚度为120nm,P型限制层组分为Al0.51In0.49P,厚度为1000nm时,相同器件结构下激光器的阈值电流最小,斜率效率最高,激射波长符合激光显示要求的642 nm波长要求。由于P型AlInP限制层的掺杂浓度对器件特性影响较大,实验中研究了不...
【文章来源】：西安理工大学陕西省
【文章页数】：61 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
CD光盘与DVD光盘凹坑比较
图 1-2 激光器在医疗上的应用Fig.1-2 Laser applications in medicine激光器在军事中可用于激光瞄准具。激光瞄准具是手枪种必备装置，主要用来解决光线微弱情况下不能精准聚瞄准具主要分为两类。一类是 GaAs 红外激光器瞄准具到在目标上的激光光斑，可以有效的解决夜间士兵的瞄体激光器为基础。在此之前激光瞄准具一直是利用 He 红光半导体激光器已经崛起，加之与 He-Ne 激光器相比高、体积小、成本低等优点，已成为 He-Ne 激光器强有导体激光器已经广泛应用到枪类军事武器上。美国激准具，该型号的激光瞄准具长 11.4 cm，重仅有 99 g，为 2.5 mm 的光斑，如果配专用的反射靶，即使在较强色光斑，该瞄准具可装在手枪上。此外如果能量足够大【8】
GaInP 红光半导体激光器已经广泛应用到枪类军事武器上。美国激光装置公司已A-4 型激光瞄准具，该型号的激光瞄准具长 11.4 cm，重仅有 99 g，发射红色激光 处形成直径为 2.5 mm 的光斑，如果配专用的反射靶，即使在较强光线情况下仍00 m 远处红色光斑，该瞄准具可装在手枪上。此外如果能量足够大，GaInP 红光可以作为致盲武器【8】。图 1-3 为激光器在军事上的应用。
【参考文献】：
期刊论文
[1]Te掺杂对GaInP外延层材料特性的影响[J]. 林志伟. 固体电子学研究与进展. 2017(01)
[2]无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状[J]. 林涛,孙航,张浩卿,林楠,马骁宇,王勇刚. 激光与光电子学进展. 2015(03)
[3]基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文）[J]. 林涛,张浩卿,孙航,王勇刚,林楠,马骁宇. 激光与光电子学进展. 2015(02)
[4]大功率半导体激光器研究进展[J]. 王立军,宁永强,秦莉,佟存柱,陈泳屹. 发光学报. 2015(01)
[5]基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究[J]. 周路,薄报学,王云华,贾宝山,白端元,乔忠良,高欣. 中国激光. 2012(08)
[6]InGaP/InGaAlP量子阱激光器输出特性的研究[J]. 艾德臻,郭有瑞. 甘肃科技. 2010(08)
[7]Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率（3.7W）660nm AlGaInP宽面半导体激光器[J]. 马德营,李佩旭,夏伟,李树强,汤庆敏,张新,任忠祥,徐现刚. 人工晶体学报. 2009(03)
[8]259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵（英文）[J]. 刘素平,仲莉,张海燕,王翠鸾,冯小明,马骁宇. 半导体学报. 2008(12)
[9]低强度半导体激光照射对豚鼠鼓膜穿孔愈合的作用[J]. 沈妍,方才凤,黄永旺,李志明,薛志孝,李迎新. 中国激光医学杂志. 2008(06)
[10]半导体激光穴位照射治疗颞下颌关节紊乱综合征37例临床疗效观察[J]. 林琼,宋维芳,张进. 中国激光医学杂志. 2008(04)
博士论文
[1]高功率半导体激光器结构研究[D]. 张金胜.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2014
本文编号：2974900
【文章来源】：西安理工大学陕西省
【文章页数】：61 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
CD光盘与DVD光盘凹坑比较
图 1-2 激光器在医疗上的应用Fig.1-2 Laser applications in medicine激光器在军事中可用于激光瞄准具。激光瞄准具是手枪种必备装置，主要用来解决光线微弱情况下不能精准聚瞄准具主要分为两类。一类是 GaAs 红外激光器瞄准具到在目标上的激光光斑，可以有效的解决夜间士兵的瞄体激光器为基础。在此之前激光瞄准具一直是利用 He 红光半导体激光器已经崛起，加之与 He-Ne 激光器相比高、体积小、成本低等优点，已成为 He-Ne 激光器强有导体激光器已经广泛应用到枪类军事武器上。美国激准具，该型号的激光瞄准具长 11.4 cm，重仅有 99 g，为 2.5 mm 的光斑，如果配专用的反射靶，即使在较强色光斑，该瞄准具可装在手枪上。此外如果能量足够大【8】
GaInP 红光半导体激光器已经广泛应用到枪类军事武器上。美国激光装置公司已A-4 型激光瞄准具，该型号的激光瞄准具长 11.4 cm，重仅有 99 g，发射红色激光 处形成直径为 2.5 mm 的光斑，如果配专用的反射靶，即使在较强光线情况下仍00 m 远处红色光斑，该瞄准具可装在手枪上。此外如果能量足够大，GaInP 红光可以作为致盲武器【8】。图 1-3 为激光器在军事上的应用。
【参考文献】：
期刊论文
[1]Te掺杂对GaInP外延层材料特性的影响[J]. 林志伟. 固体电子学研究与进展. 2017(01)
[2]无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状[J]. 林涛,孙航,张浩卿,林楠,马骁宇,王勇刚. 激光与光电子学进展. 2015(03)
[3]基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文）[J]. 林涛,张浩卿,孙航,王勇刚,林楠,马骁宇. 激光与光电子学进展. 2015(02)
[4]大功率半导体激光器研究进展[J]. 王立军,宁永强,秦莉,佟存柱,陈泳屹. 发光学报. 2015(01)
[5]基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究[J]. 周路,薄报学,王云华,贾宝山,白端元,乔忠良,高欣. 中国激光. 2012(08)
[6]InGaP/InGaAlP量子阱激光器输出特性的研究[J]. 艾德臻,郭有瑞. 甘肃科技. 2010(08)
[7]Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率（3.7W）660nm AlGaInP宽面半导体激光器[J]. 马德营,李佩旭,夏伟,李树强,汤庆敏,张新,任忠祥,徐现刚. 人工晶体学报. 2009(03)
[8]259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵（英文）[J]. 刘素平,仲莉,张海燕,王翠鸾,冯小明,马骁宇. 半导体学报. 2008(12)
[9]低强度半导体激光照射对豚鼠鼓膜穿孔愈合的作用[J]. 沈妍,方才凤,黄永旺,李志明,薛志孝,李迎新. 中国激光医学杂志. 2008(06)
[10]半导体激光穴位照射治疗颞下颌关节紊乱综合征37例临床疗效观察[J]. 林琼,宋维芳,张进. 中国激光医学杂志. 2008(04)
博士论文
[1]高功率半导体激光器结构研究[D]. 张金胜.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2014
本文编号：2974900
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