衬底温度对NiO:Cu/ZnO异质pn结的光电性能影响

发布时间：2021-01-16 01:13

　　利用磁控溅射方法改变衬底温度,制备了一系列NiO:Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,当衬底温度从室温升高到300℃时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善;与此同时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的光学透过率也从40%增大到80%。这可能是由于NiO:Cu薄膜结晶质量改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加衬底温度至400℃,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于生长在异质结下层的NiO:Cu薄膜影响了其上ZnO薄膜的生长,进而影响到异质结的整流特性。这一结论,得到X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和紫外（UV）谱测试结果的支持。 

【文章来源】：光电子·激光. 2016,27(04)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 引言
2 实验
    2.1 样品制备
    2.2 样品的性能及表征
3 实验结果与讨论
    3.1 NiO:Cu薄膜的晶相组成
    3.2 表面形貌表征
    3.3 光学特性分析
    3.4 电学特性分析
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]O2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响[J]. 李彤,王铁钢,王达夫,倪晓昌,赵新为.  光电子·激光. 2015(02)
[2]Si/NiO异质pn结的光电性能研究[J]. 李彤,介琼,王雅欣,倪晓昌,赵新为.  光电子.激光. 2014(01)
[3]Substrate Temperature Dependent Properties of Cu Doped NiO Films Deposited by DC Reactive Magnetron Sputtering[J]. Yarraguntla Ashok Kumar Reddy,Akepati Sivasankar Reddy,Pamanji Sreedhara Reddy.  Journal of Materials Science & Technology. 2013(07)
[4]氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜PN结的影响[J]. 赵启义,祁康成,舒文丽,李国栋.  电子器件. 2012(01)



本文编号：2979860