纳米尺度金属-氧化物半导体场效应晶体管沟道热噪声模型

发布时间：2021-01-16 14:31

　　随着CMOS工艺的发展,热载流子效应对沟道热噪声的影响随着器件尺寸的降低而增大,传统热噪声模型未能准确表征沟道的热噪声.本文通过解能量平衡方程,得到电子温度表达式,并结合沟道漏电流表达式,建立了沟道热噪声模型.利用建立的电子温度表达式,该热噪声模型考虑了热载流子效应的影响,并且在计算热噪声的过程中考虑了电子温度对迁移率降低的影响以及温度梯度对热噪声的影响.通过分析与计算,结果显示,随着器件尺寸的减小,温度梯度对电子温度产生显著影响,使得热载流子效应的影响增大,热载流子效应对热噪声的增长作用超过了迁移率降低对热噪声的减小作用,最终导致热噪声增大.本文建立的沟道热噪声模型可应用于纳米尺寸金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的噪声性能分析及建模. 

【文章来源】：物理学报. 2020,69(05)北大核心

【文章页数】：8 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性[J]. 刘畅,卢继武,吴汪然,唐晓雨,张睿,俞文杰,王曦,赵毅.  物理学报. 2015(16)



本文编号：2980996