基于图案化石墨烯电极的有机光电器件研究

发布时间：2021-01-20 19:50

　　在过去的几十年中,石墨烯材料由于其自身超高的光学透明度、良好的导电性、出色的机械柔性和化学稳定性而作为透明导电电极广泛地应用于各类光电器件。其中,基于石墨烯电极的有机光电器件由于其在柔性及可拉伸领域的应用前景而备受关注。目前,采用化学气相沉积法能够在催化金属衬底上制备得到大面积、高质量、层数可控的石墨烯材料。然而,石墨烯作为透明导电电极应用于有机光电器件还需要进一步的转移及图案化工艺。传统的基于高分子聚合物的石墨烯湿法转移工艺存在材料破损、聚合物分子残余沾污等问题,并且转移后仍需较为复杂的工艺才能够实现石墨烯的图案化。此外,原始石墨烯通常导电性较差,功函数较低不能与相邻的有机材料很好的匹配。本论文重点围绕石墨烯的转移及图案化工艺展开,研究了图案化石墨烯电极在有机光电器件中的应用。进一步地,利用超薄金属薄膜以及导电聚合物材料分别修饰原始石墨烯作为复合电极优化电极参数,提高了基于图案化石墨烯电极的有机光电器件的性能。本论文取得的主要研究成果可分为以下四个部分:1、采用真空热蒸镀的图案化Cu薄膜作为掩膜层结合等离子体（Plasma）刻蚀工艺在转移到目标衬底上的石墨烯表面制备相应的图案。通过真... 

【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：118 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

GO辅助液相剥离法制备石墨烯水溶液流程示意图

飞秒激光还原GO示意图及微尺寸OLEDs发光照片

图 1.4 SiC(0001)上生长的石墨烯原子结构示意图[55]而，利用 SiC 的热解合成石墨烯通常对衬底和生长条件具有严苛的的石墨烯生长条件窗口较窄，较难合成出大面积均一的单层石墨烯SiC 衬底的限制，该材料生长方法成本较高且不易转移到其他衬底上


本文编号：2989675