一种高电源抑制比LDO

发布时间：2021-01-23 15:33

　　采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种低压差线性稳压器（LDO）。分析了传统LDO在重载高频下电源抑制比（PSR）的缺陷,提出一种带有多级缓冲PSR提升结构的LDO。采用创新的PSR增强结构,使得PSR增强效果与其负载电流成弱相关,从而保证LDO在宽负载范围内具有优秀的高频PSR增强效果。仿真结果表明,负载电流为300 mA时,低频下LDO的PSR为-68 dB,频率为10 MHz时LDO的PSR可达-50 dB。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(01)北大核心

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

带有PSR提升结构的传统LDO

本文LDO通过改进传统PSR增强结构,使PSR增强效果与其偏置电流成弱相关关系。也就是说,在宽负载范围下,LDO的PSR增强效果依然优秀。另外,本文采用多级缓冲结构来隔离高频电源干扰通过误差放大器传导至PSR增强结构的信号。图2所示为本文提出的带有多级缓冲结构的LDO。图2中,EA为LDO的误差放大器;M1～M2管构成P输入管的源极跟随器,作为LDO的第一级缓冲级;M3～M7构成误差电压-误差电流转换结构,作为LDO的第二级缓冲级;M8-M10构成新型PSR提升结构,作为LDO的第三级缓冲级;VB1～VB3为固定偏置电位。下面,对本文LDO的环路稳定性和电源抑制比进行分析。

接着,研究功率管栅极节点电压VC受VIN小信号扰动的影响。低频时,当ω?p1时,由式(9)可知,iB=0。可以把电流镜输出电流视为低频下的恒定偏置电流IB,从而得到用于求解ω?p1时VIN到VC的低频增益的小信号等效电路,如图3所示。根据图3,得到对应节点电流方程:


本文编号：2995463