一种低损耗硅基MZ电光调制器的驱动电极设计

发布时间：2021-02-13 04:18

　　为了满足高数据带宽的硅光互联应用要求,高速硅光调制器的设计至关重要.本文基于IMEC的硅光子SOI工艺,提出了一种低损耗高带宽的行波MZ调制器的驱动电极.在详细分析了趋肤效应、行波损耗、邻近效应等物理效应对行波电极信号完整性的影响的基础上,通过在行波电极上增加一定宽度的顶层金属的方法,使MZ调制器的低频损耗降低了13%,高频损耗降低了5%,并使电光调制3 dB带宽提高至28 GHz. 

【文章来源】：微电子学与计算机. 2020,37(10)北大核心

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

采用CPS传输线设计的MZ调制器

带PN结负载的传输线电路模型

载有时变电流的矩形传输线

【参考文献】：
期刊论文
[1]一种25 Gbps硅基MZ电光调制器驱动电极的设计[J]. 纪鹏飞,何卫锋.  微电子学与计算机. 2018(08)
[2]硅基马赫曾德电光调制设计优化与实现[J]. 周林杰,周砚扬,陆梁军.  中兴通讯技术. 2017(05)



本文编号：3031960