LDO单粒子闩锁效应及维持电流的特性研究

发布时间：2021-02-16 17:54

　　针对一种LDO,研究了重离子Cl、Ge辐照触发的单粒子闩锁（SEL）效应。实验结果表明,输入1.8 V时,SEL电流范围为850～950 mA;输入3.3 V时,SEL电流范围为6.2～6.4 mA。随着限制电流值的增高,退出SEL的时间逐渐增大,最终无法退出。该LDO的SEL维持电流范围为350～400 mA,可通过正常工作电流和允许的中断时间来选择合适的限制电流值。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(01)北大核心

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

Cl离子辐照下1#样品负载输出电流曲线

图1 Cl离子辐照下1#样品负载输出电流曲线对不同离子下的SEL电流进行对比。1.8 V输入电压时,Cl离子、Ge离子辐照下,SEL电流分别为862 mA、852 mA。3.3 V输入电压时,Cl离子、Ge离子辐照下,SEL电流分别为6.2 mA、6.3 mA。这表明,器件的SEL电流变化很小,即Cl离子、Ge离子对SEL电流的影响不明显。

由图1至图3可以看出,3.3 V输入电压时,SEL电流增大了12.5倍,1.8 V输入电压时,SEL电流的增大倍数超过1 000。这表明,在不同供电电压下,SEL电流值的差异很大。LDO芯片的电路图如图4所示。VIN端(为3.3 V)与1个运算放大器的输入端相接致使该电路呈现高阻态,有很强的电流限制作用。在发生SEL效应时,SEL电流的增加值较小。然而,在与VLDOIN端(为1.8 V)连接的区域电路中,在发生SEL效应时,SEL电流急剧增大。

【参考文献】：
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本文编号：3036721