硅通孔结构参数对信号传输性能的影响

发布时间：2021-02-17 06:46

　　利用ANSYS HFSS软件建立硅通孔（Through Silicon Via,TSV）的信号-地（S-G）结构模型,在不同TSV的结构参数下对TSV信号的传输特性进行研究,将传输模型的插入损耗S₂₁作为传输性能好坏的判断标准。结果表明:TSV的传输性能与TSV的半径、TSV的高度以及填充金属的表面积有关,与体积无关,即金属材料的填充率对插入损耗几乎没有影响。 

【文章来源】：电子元件与材料. 2020,39(11)北大核心

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

四种TSV模型的结构模型图

衬底厚度决定TSV高度,电路中其他元件的尺寸随TSV高度的改变而改变,因此TSV高度对传输性能的影响不容忽视。实验中保持TSV半径和绝缘层厚度不变,将TSV高度由50 μm增加到125 μm,步长为25 μm,得到不同TSV高度下插入损耗随频率的变化趋势,如图2所示。TSV高度增加,促使插入损耗也相应地增大,信号传输性能下降,即当TSV高度增大时,有更多的信号耦合到衬底中,对信号传输产生影响。

插入损耗随着中心导体半径的增大而增大,不同半径的同轴型TSV插入损耗随频率的变化趋势和圆柱型TSV结果一致。图4 不同中心导体半径同轴型插入损耗随频率变化

【参考文献】：
期刊论文
[1]基于孔耦合和枝节加载谐振器的双通带带通滤波器[J]. 秦伟,张朋飞,刘疆,陈建新.  南通大学学报(自然科学版). 2019(02)
[2]MSPs单向传输性能在光学隔离上的应用研究[J]. 濮荣强,黄文平.  南通大学学报(自然科学版). 2017(03)
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本文编号：3037602