一种基于数字逻辑控制的低损耗双半桥驱动芯片

发布时间：2021-02-27 11:07

　　设计了一种集成双半桥和四功率开关的驱动芯片。采用双路对称设计,每一路可单独控制使能、自举和驱动。芯片内部采用高精度的基准源以及LDO电路,同时具有欠压死锁、过压保护和过温保护功能。死区控制可避免上下功率管直通大电流,自举设计可使上功率管的开启电压达到5 V,降低了功率管自身的损耗,使功率管输出达到11.90 V。采用TSMC 0.18μm BCD工艺进行流片。测试结果表明,输出的方波信号幅度为11.96 V/11.95 V,死区时间为60 ns/80 ns,静态功耗低至478μA。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(02)北大核心

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
0 引 言
1 半桥驱动原理
2 芯片关键模块的分析与设计
    2.1 高精度基准源
    2.2 LDO主电路
    2.3 自举电路
    2.4 死区控制电路
3 测试结果
4 结 论


【参考文献】：
硕士论文
[1]一种高压IGBT半桥驱动芯片设计[D]. 伍滔.电子科技大学 2015



本文编号：3054143