GaAs微波开关与衰减器研究与设计
发布时间：2021-02-27 20:11
随着科学技术的飞速发展,人们对通信系统的要求愈发严格,在半导体工艺不断发展的今天,微波单片集成电路（MMIC）很好地满足了人们的需求。它集截止频率高、一致性好、损耗低、输出功率高等特点于一身,因此被广泛地应用于各种民用通信系统与军用设备。在微波毫米波系统中,T/R组件是关键的组成部分,它是用来接收和发射微波信号的模块。开关与衰减器是T/R组件中的重要信号控制电路,开关控制着信号的通断与路径选择,数控衰减器在相控阵系统中与数控移相器一起控制着雷达系统的波束方向与大小。因此,研究微波开关与数控衰减器并提升它们的性能对有源相控阵雷达和各类T/R组件有重要意义。本文通过分析现代通信系统对微波开关和数控衰减器的指标要求,总结微波开关与数控衰减器的设计方法与目前的发展水平,进行了微波开关和数控衰减器电路的研究与设计。本论文分为两个部分,分别介绍微波开关与数控衰减器,其中微波开关部分介绍两个设计,数控衰减器部分介绍一个三位数控衰减器。DC15 GHz宽带单刀双掷开关基于0.25μm GaAs耗尽型pHEMT工艺设计,首先根据指标结合理论选择串并联拓扑结构,通过原理图、版图仿真,...
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
差分吸收式单刀双掷开关
图 1-4 130~180 GHz 磁谐振式开关原理图17 年，Li Zhao，Wen-Feng Liang 等人提出了一种使用 0.1μm G超宽带、高隔离度和高线性度的 SPDT[10]，在 35~70 GHz小于 3 dB，隔离度大于 40 dB，输入 1 dB 压缩点为 20.2 dB 0.8 mm2。该开关的主要特点是使用了分布式结构来拓展带的源极作为并联的输入端以减小漏极连线的寄生电感对性1-5 所示，是该开关的原理图和芯片照片。（a） （b）
图 1-4 130~180 GHz 磁谐振式开关原理图在 2017 年，Li Zhao，Wen-Feng Liang 等人提出了一种使用 0.1μm GaAs pHEMT工艺设计的超宽带、高隔离度和高线性度的 SPDT[10]，在 35~70 GHz 带宽内达到了插入损耗小于 3 dB，隔离度大于 40 dB，输入 1 dB 压缩点为 20.2 dBm，芯片面积为 1.2 × 0.8 mm2。该开关的主要特点是使用了分布式结构来拓展带宽，同时使用了晶体管的源极作为并联的输入端以减小漏极连线的寄生电感对性能造成的影响，如图 1-5 所示，是该开关的原理图和芯片照片。
【参考文献】：
期刊论文
[1]一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器[J]. 刘凡,熊翼通,刘志伟. 微电子学. 2018(02)
博士论文
[1]硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计[D]. 刘超.电子科技大学 2016
硕士论文
[1]InGaAs/GaAs PHEMT器件模型的建立与优化[D]. 刘雨非.西安电子科技大学 2018
[2]0-4GHz MMIC集成串并转换数控衰减器芯片研制[D]. 王康睿.浙江大学 2018
[3]高线性宽带非对称SPDT射频开关设计[D]. 耿红亮.浙江大学 2017
[4]GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件对比特性研究[D]. 霍宇.山东大学 2017
[5]超宽带低相移单片六位微波数字衰减器的设计与研究[D]. 钱桂香.南京理工大学 2008
本文编号：3054744
【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
差分吸收式单刀双掷开关
图 1-4 130~180 GHz 磁谐振式开关原理图17 年，Li Zhao，Wen-Feng Liang 等人提出了一种使用 0.1μm G超宽带、高隔离度和高线性度的 SPDT[10]，在 35~70 GHz小于 3 dB，隔离度大于 40 dB，输入 1 dB 压缩点为 20.2 dB 0.8 mm2。该开关的主要特点是使用了分布式结构来拓展带的源极作为并联的输入端以减小漏极连线的寄生电感对性1-5 所示，是该开关的原理图和芯片照片。（a） （b）
图 1-4 130~180 GHz 磁谐振式开关原理图在 2017 年，Li Zhao，Wen-Feng Liang 等人提出了一种使用 0.1μm GaAs pHEMT工艺设计的超宽带、高隔离度和高线性度的 SPDT[10]，在 35~70 GHz 带宽内达到了插入损耗小于 3 dB，隔离度大于 40 dB，输入 1 dB 压缩点为 20.2 dBm，芯片面积为 1.2 × 0.8 mm2。该开关的主要特点是使用了分布式结构来拓展带宽，同时使用了晶体管的源极作为并联的输入端以减小漏极连线的寄生电感对性能造成的影响，如图 1-5 所示，是该开关的原理图和芯片照片。
【参考文献】：
期刊论文
[1]一种X波段低附加相位的6位单片数控衰减器[J]. 刘凡,熊翼通,刘志伟. 微电子学. 2018(02)
博士论文
[1]硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计[D]. 刘超.电子科技大学 2016
硕士论文
[1]InGaAs/GaAs PHEMT器件模型的建立与优化[D]. 刘雨非.西安电子科技大学 2018
[2]0-4GHz MMIC集成串并转换数控衰减器芯片研制[D]. 王康睿.浙江大学 2018
[3]高线性宽带非对称SPDT射频开关设计[D]. 耿红亮.浙江大学 2017
[4]GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件对比特性研究[D]. 霍宇.山东大学 2017
[5]超宽带低相移单片六位微波数字衰减器的设计与研究[D]. 钱桂香.南京理工大学 2008
本文编号：3054744
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