改性氮化硼/聚芳醚腈导热材料的制备与性能研究

发布时间：2021-03-08 00:59

　　随着电子器件、印制电路等领域的发展,要求设备小型化、高功率化,要求材料高绝缘、易加工、具有较高的导热率。聚芳醚腈（PEN）有着优异的性能,如高绝缘性、高韧性、高热稳定性,在电子器件、航空航天领域有着巨大的应用前景。但PEN低导热率、较高的热膨胀系数,不能直接满足各行业的需求。而导热高分子复合材料能获得新的优异性能,充分发挥高分子材料的优势。六方氮化硼（h-BN）是新型的二维绝缘材料,具有高导热率、高绝缘等性质,是近年绝缘高导热材料研究重点。但未经过改性处理的氮化硼在高分子基体中分散不均匀,与基体界面相容性差,直接影响复合材料的性能,所以对氮化硼进行表面改性至关重要。首先,本文合成邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈作为基体材料。合成水溶性磺化聚芳醚腈（SPEN）作为h-BN的表面改性剂,利用超声分散和后处理的方法,制备BN@SPEN核壳结构填料。将该填料加入到封端聚芳醚腈基体中,通过溶液流延成膜法制备复合薄膜。利用DMA测试验证了复合薄膜具有低热膨胀系数,高尺寸稳定性。通过导热测试发现,复合薄膜的导热率明显上升,当BN@SPEN填料为20wt%时,复合薄膜的导热率达0.69 W/（m·K）,是纯膜... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：85 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

部分代表结构的聚芳醚腈

PEN-ID300的结构示意图

六方氮化硼结构示意图


本文编号：3070125