金属-无机半导体-金属光电探测器的研究进展

发布时间：2021-03-08 02:35

　　金属-半导体-金属光电探测器（MSM-PDs）本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关注。文中围绕金属-无机半导体-金属光电探测器展开综述。首先介绍了MSM-PDs的基本结构,包含共面和垂直两种类型。紧接着,介绍了MSM-PDs具体的工作原理,除了常见的光电导型及肖特基型工作原理,还介绍了以金属作为吸光层的热载流子光电探测器的工作原理。随后,详细介绍了以GaAs、InGaAs、Si/Ge等无机材料作为半导体层的MSM-PDs在过去所取得的研究进展。此外,还介绍了利用金属微纳结构拓展较宽带隙半导体材料MSM-PDs在红外波段响应特性的研究进展。最后,总结全文并对MSM-PDs未来的发展做出了展望。 

【文章来源】：红外与激光工程. 2020,49(08)北大核心

【文章页数】：19 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]激光测距中APD阵列探测信噪比分析[J]. 薛莉,翟东升,李祝莲,李语强,熊耀恒,李明.  红外与激光工程. 2017(03)
[2]InGaAs-MSM光电探测器设计与仿真研究[J]. 李勇,李刚,沈洪斌,钟文忠,李亮.  应用光学. 2016(05)
[3]基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管（英文）[J]. 魏佳童,陈立伟,胡海帆,刘志远.  红外与激光工程. 2016(S1)
[4]可见光拓展InP/InGaAs宽光谱红外探测器[J]. 史衍丽,郭骞,李龙,邓功荣,杨绍培,范明国,刘文波.  红外与激光工程. 2015(11)
[5]非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计[J]. 张诗雨,洪霞,方旭,叶辉.  光电工程. 2015(01)
[6]InGaAs/Si雪崩光电二极管[J]. 宋海兰,黄辉,崔海林,黄永清,任晓敏.  半导体光电. 2010(05)
[7]PIN结光电二极管的工艺原理和制造[J]. 张健亮,陈康民.  中国集成电路. 2004(09)
[8]用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器[J]. 潘青.  半导体光电. 1999(02)
[9]GaAs　MSM光电探测器暗电流特性[J]. 王庆康,冯胜.  半导体光电. 1995(04)
[10]长波长低暗电流高速In0.53Ga0.47As MSM光电探测器[J]. 史常忻,K.Heime.  半导体学报. 1991(12)



本文编号：3070261