YON界面钝化层改善HfO 2 /Ge界面特性的研究
发布时间：2021-03-11 21:02
本文采用YON界面钝化层来改善HfO2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor（MOS）器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N2氛围中溅射Y2O3靶直接淀积获得以及先在Ar+N2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性:较小的CET（1.66 nm）,较大的k值（18.8）,较低的界面态密度(7.79×1011e V-1cm-2)和等效氧化物电荷密度(-4.83×1012cm-2),低的栅极漏电流(3.40×10-4A/cm2@Vg=Vfb
【文章来源】：电子学报. 2017,45(11)北大核心
【文章页数】：5 页
【部分图文】：
(alYON样品:fblyN样品
【参考文献】：
期刊论文
[1]Evidence of GeO volatilization and its effect on the characteristics of HfO2 grown on a Ge substrate[J]. 樊继斌,刘红侠,费晨曦,马飞,范晓娇,郝跃. Chinese Physics B. 2013(03)
[2]Wet thermal annealing effect on TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO2 passivation layer[J]. 刘冠洲,李成,路长宝,唐锐钒,汤梦饶,吴政,杨旭,黄巍,赖虹凯,陈松岩. Chinese Physics B. 2012(11)
本文编号：3077090
【文章来源】：电子学报. 2017,45(11)北大核心
【文章页数】：5 页
【部分图文】：
(alYON样品:fblyN样品
【参考文献】：
期刊论文
[1]Evidence of GeO volatilization and its effect on the characteristics of HfO2 grown on a Ge substrate[J]. 樊继斌,刘红侠,费晨曦,马飞,范晓娇,郝跃. Chinese Physics B. 2013(03)
[2]Wet thermal annealing effect on TaN/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor capacitors with and without a GeO2 passivation layer[J]. 刘冠洲,李成,路长宝,唐锐钒,汤梦饶,吴政,杨旭,黄巍,赖虹凯,陈松岩. Chinese Physics B. 2012(11)
本文编号：3077090
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