基于GARCH模型的IGBT寿命预测

发布时间：2021-03-11 23:32

　　绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测。首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据。建立基于GARCH模型的IGBT老化寿命模型,通过3组IGBT模块加速老化数据对剩余寿命预测,验证所提方法的有效性。 

【文章来源】：中国电机工程学报. 2020,40(18)北大核心

【文章页数】：10 页

【部分图文】：

IGBT的VCE(on)变化趋势2.02.1循环次数/万次02468


本文编号：3077291