MOSFET源/漏电阻的分析与拟合计算

发布时间：2021-03-22 23:01

　　随着微电子行业的不断进步与发展,为适应集成电路技术的发展以及提高系统的集成度,半导体器件的尺寸在不断的缩小。MOSFET的尺寸缩小,可以降低功耗、提高集成度,但同时必然会导致器件的工作特性和性能发生变化。因此,深入研究小尺寸MOSFET的各项电学特性,对于提高MOSFET工作性能有重要意义。MOSFET中与导电沟道相串联的源／漏电阻,对于小尺寸器件和集成电路性能的模拟,以及器件的性能优化和工艺改进都有重要意义。因此,对MOSFET源／漏电阻的研究,一直是微电子行业的研究热点。目前,已经发展出很多MOSFET源／漏电阻的研究方法,这些方法都各自存在着优缺点,其主要缺点是计算步骤繁琐、公式复杂。本论文将针对现有研究方法的这一缺陷,提出一种基于数值模拟的分析和计算方法。该方法的优点是,分析使用的理论原理简单、需要考虑的物理参数较少,得出的各物理参数与源／漏电阻的关系明确、直观,可以直接得出计算电阻的解析表达式,并且具有相当高的准确性。本文所做工作可概括为以下几部分。首先,对现有的MOSFET源／漏电阻的研究方法,做了充分的理论分析和概括总结。目前,最常用的研究方法主要有：提取法和建模法,文中... 

【文章来源】：安徽大学安徽省 211工程院校

【文章页数】：66 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 MOSFET简介
    1.2 MOSFET源/漏电阻研究意义
    1.3 MOSFET源/漏电阻研究现状
    1.4 提取法和建模法的缺点
    1.5 本文所做工作
第二章 源/漏电阻的研究方法
    2.1 源/漏电阻的提取方法
        2.1.1 沟道电阻法
        2.1.2 新型的提取方法
    2.2 源/漏电阻的建模方法
        2.2.1 数值法和解析法及其优缺点
        2.2.2 半解析法
    2.3 建模方法举例说明
sd模型">        2.3.1 基于物理的半经验R_sd模型
sd模型">        2.3.2 二维半解析R_sd模型
    2.4 本章小结
第三章 基于数值模拟的源/漏本征电阻的分析与拟合
    3.1 基于数值模拟的分析与拟合方法简介
    3.2 源/漏电阻的提取
    3.3 提取的源/漏电阻数据
    3.4 电阻计算公式的拟合算法
        3.4.1 提取数据的分析
        3.4.2 拟合算法的说明
    3.5 源/漏电阻计算公式的拟合
        3.5.1 电阻公式拟合
        3.5.2 综合的电阻公式拟合
    3.6 本章小结
第四章 提取和拟合的验证与分析
    4.1 源/漏电阻拟合结果验证
    4.2 源/漏电阻的分析和结论
        4.2.1 影响源/漏电阻的主要参数
        4.2.2 源/漏电极的电流拥挤
        4.2.3 沟道长度对源/漏电阻的影响
        4.2.4 源/漏本征电阻的计算表达式
    4.3 本章小结
第五章 总结
参考文献
致谢
攻读硕士期间发表的论文
参与的科研项目



本文编号：3094639