石墨烯/氮化硼异质结制备及应用研究进展
发布时间：2021-03-23 21:33
综述了石墨烯/氮化硼面内异质结和范德华异质结的制备方法及优缺点,概括了石墨烯/氮化硼异质结在场效应晶体管、电化学催化以及热电器件领域的应用,预测了其在光电子和运算存储器件方向的广阔应用前景。
【文章来源】：现代化工. 2020,40(01)北大核心CSCD
【文章页数】：4 页
【部分图文】：
Graphene/h-BN范德华异质结的机械转移法制备过程
Driver等[23]通过分子束外延法(molecular beam epitaxy,MBE)成功在h-BN(0001)表面上生长了石墨烯，为Graphene/h-BN异质结的制备提供了新途径。利用分子束外延法可严格控制生长速率，制备大尺度、高质量的异质结[17]，而且能控制Graphene/h-BN异质结垂直结构中石墨烯与h-BN的失配角小于1°[24]。缺点在于合成速度慢，限制了异质结的大量生产。一般分子束外延法制备步骤如图2所示[18]。2 Graphene/h-BN异质结应用
【参考文献】：
期刊论文
[1]石墨烯基二维垂直异质结的制备及光电子器件[J]. 戴明金,高峰,杨慧慧,胡云霞,胡平安. 材料科学与工艺. 2017(03)
[2]石墨烯-六方氮化硼面内异质结构的扫描隧道显微学研究[J]. 刘梦溪,张艳锋,刘忠范. 物理学报. 2015(07)
本文编号：3096462
【文章来源】：现代化工. 2020,40(01)北大核心CSCD
【文章页数】：4 页
【部分图文】：
Graphene/h-BN范德华异质结的机械转移法制备过程
Driver等[23]通过分子束外延法(molecular beam epitaxy,MBE)成功在h-BN(0001)表面上生长了石墨烯，为Graphene/h-BN异质结的制备提供了新途径。利用分子束外延法可严格控制生长速率，制备大尺度、高质量的异质结[17]，而且能控制Graphene/h-BN异质结垂直结构中石墨烯与h-BN的失配角小于1°[24]。缺点在于合成速度慢，限制了异质结的大量生产。一般分子束外延法制备步骤如图2所示[18]。2 Graphene/h-BN异质结应用
【参考文献】：
期刊论文
[1]石墨烯基二维垂直异质结的制备及光电子器件[J]. 戴明金,高峰,杨慧慧,胡云霞,胡平安. 材料科学与工艺. 2017(03)
[2]石墨烯-六方氮化硼面内异质结构的扫描隧道显微学研究[J]. 刘梦溪,张艳锋,刘忠范. 物理学报. 2015(07)
本文编号：3096462
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