SiO 2 /SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响

发布时间：2021-04-15 23:51

　　位于SiO₂/SiC界面处密度较高的陷阱,不仅俘获SiC MOSFET沟道中的载流子,而且对沟道中的载流子形成散射、降低载流子的迁移率,因而严重影响了SiC MOSFET的开关特性。目前商业化的半导体器件仿真软件中迁移率模型是基于Si器件开发,不能体现SiO₂/SiC界面处的陷阱对沟道中载流子的散射作用。通过引入能正确反映界面陷阱对载流子作用的迁移率模型,利用半导体器件仿真软件研究了界面陷阱对SiC MOSFET动态特性的影响。结果表明,随着界面陷阱密度的增加,SiC MOSFET开通过程变慢,开通损耗增加,而关断过程加快,关断损耗减小;但是由于沟道载流子数量的减少、导通电阻的增加,总损耗是随着界面陷阱密度的增加而增加。 

【文章来源】：固体电子学研究与进展. 2017,37(03)北大核心CSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
引言
1 模型的建立
    1.1 迁移率模型的建立
    1.2 器件模型和电路模型的建立
2 结果及讨论
3 结论



本文编号：3140326