高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响

发布时间：2021-04-24 08:10

　　基于SMIC 0.18μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板。调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管（NLDMOS）进行了分批流片。该NLDMOS通过了电学性能合格测试。对源漏击穿电压BV_ds、比导通电阻R_on进行了测试和分析。结果表明,BV_ds达到59.2 V,R_on为50.5 mΩ·mm²。与原有的HVBCD工艺的电参数保持一致。该NLDMOS的栅极耐压值达到40 V,同时降低了成本,缩短了生产周期。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(01)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引 言
1 工艺流程调整
    1.1 移除DNW掩模板
    1.2 移除NDrift、PDrift掩模板
2 NLDMOS的结构参数
3 实验与结果讨论
    3.1 DLB对BVds和Ron的影响
    3.2 DS因子对BVds和Ron的影响
    3.3 DDX对BVds和Ron的影响
    3.4 DFX因子对BVds和Ron的影响
    3.5 最优的结构参数
4 结 论



本文编号：3157006