量子点发光二极管的制备及性能表征
发布时间:2021-05-15 14:46
目前,量子点电致发光器件(QLED)经过几十年的研究和发展,其商业化黎明正在到来。QLED的高色域,高亮度,窄半宽峰使得其在显示领域备受关注。量子点材料被广泛应用在手机,电视,电脑等产品中。目前研究主要以有机空穴传输层和无机电子传输层夹心结构为主。由于是多层结构器件,其制作涉及多种材料和工艺。该研究主要是为了获得更好电光转化效率(EQE)的和更长寿命的QLED。针对QLED存在的问题,本文研究工作如下:合成PLQY超过80%CdSe/ZnS高性能核壳结构量子点,并对其使用十二硫醇配体交换制作器件量子点发光层材料。合成了氧化锌量子点和低温退火掺铜氧化镍纳米晶,并通过调节材料结构和组分获得表现良好的电子传输层和空穴传输层材料。研究不同器件结构,并通过对器件的功能层如电荷传输层(电子和空穴),发光层以及电极工艺进行研究。使用了可见光吸收光谱,TEM,AFM等多种表征技术对材料和器件进行了表征。对器件测试从原理上进行了推导,使用光谱仪,光功率计,2400源表结合并使用MATLAB编程实现了对于不同波段量子点材料光致发光荧光效率和器件的光电性能测试与数据处理。研究发现使用氧化镍作为空穴传输层可有...
【文章来源】:华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:96 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
1 绪论
1.1 胶体量子点在纳米尺度特性
1.2 平板显示的发展历史和技术走向
1.3 量子点显示发展趋势
1.4 QLED的研究现状
1.5 选题意义及主要研究内容
2 QLED器件机理和量子点制备
2.1 发光机理和器件结构
2.2 器件材料
2.3 QLED参数和材料表征
2.4 量子点的合成与表征
2.5 本章小结
3 电荷传输层材料的制备和表征
3.1 氧化锌合成与表征
3.2 氧化镍合成与表征
3.3 本章小结
4 QLED的制备及表征
4.1 实验试剂和设备
4.2 器件制作工艺和改良
4.3 器件空穴传输层研究和表征
4.4 QLED电子传输层研究和表征
4.5 器件发光层厚度的研究
4.6 本章小结
5 QLED光电性能测试平台设计和软件实现
5.1 QLED测试方案和理论推导
5.2 QLED基于MATLAB数据处理实现
5.3 QLED测试验证
5.4 本章小结
6 总结和展望
致谢
参考文献
附录一 部分关键代码
附录二 攻读硕士学位期间发表的论文
【参考文献】:
期刊论文
[1]钙钛矿二维纳米材料的合成和发光研究进展[J]. 孟竞佳,张峰,任艳东,刘立格,刘永皓,钟海政. 应用化学. 2018(03)
[2]量子点发光二极管中载流子注入机理的研究[J]. 马航,李邓化,陈雯柏,叶继兴. 光电子·激光. 2016(07)
[3]胶体法制备Mn2+掺杂Ⅱ-Ⅵ族稀磁性半导体纳米晶体材料的研究进展[J]. 李瑞,钟海政,张泽朋,杨春和,李永舫. 化学通报. 2007(08)
[4]半导体物理效应与光电子高技术产业[J]. 王启明. 物理. 2002(07)
硕士论文
[1]CdSe/ZnS核壳型量子点的合成及修饰[D]. 朱尧.华中科技大学 2009
本文编号:3187825
【文章来源】:华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:96 页
【学位级别】:硕士
【文章目录】:
摘要
Abstract
1 绪论
1.1 胶体量子点在纳米尺度特性
1.2 平板显示的发展历史和技术走向
1.3 量子点显示发展趋势
1.4 QLED的研究现状
1.5 选题意义及主要研究内容
2 QLED器件机理和量子点制备
2.1 发光机理和器件结构
2.2 器件材料
2.3 QLED参数和材料表征
2.4 量子点的合成与表征
2.5 本章小结
3 电荷传输层材料的制备和表征
3.1 氧化锌合成与表征
3.2 氧化镍合成与表征
3.3 本章小结
4 QLED的制备及表征
4.1 实验试剂和设备
4.2 器件制作工艺和改良
4.3 器件空穴传输层研究和表征
4.4 QLED电子传输层研究和表征
4.5 器件发光层厚度的研究
4.6 本章小结
5 QLED光电性能测试平台设计和软件实现
5.1 QLED测试方案和理论推导
5.2 QLED基于MATLAB数据处理实现
5.3 QLED测试验证
5.4 本章小结
6 总结和展望
致谢
参考文献
附录一 部分关键代码
附录二 攻读硕士学位期间发表的论文
【参考文献】:
期刊论文
[1]钙钛矿二维纳米材料的合成和发光研究进展[J]. 孟竞佳,张峰,任艳东,刘立格,刘永皓,钟海政. 应用化学. 2018(03)
[2]量子点发光二极管中载流子注入机理的研究[J]. 马航,李邓化,陈雯柏,叶继兴. 光电子·激光. 2016(07)
[3]胶体法制备Mn2+掺杂Ⅱ-Ⅵ族稀磁性半导体纳米晶体材料的研究进展[J]. 李瑞,钟海政,张泽朋,杨春和,李永舫. 化学通报. 2007(08)
[4]半导体物理效应与光电子高技术产业[J]. 王启明. 物理. 2002(07)
硕士论文
[1]CdSe/ZnS核壳型量子点的合成及修饰[D]. 朱尧.华中科技大学 2009
本文编号:3187825
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