倒置的InGaP/GaAs HBT与常规的InGaP/GaAs HBT器件性能比较分析

发布时间：2021-05-16 08:26

　　基于热场发射-扩散模型,研究两相同器件结构的常规和倒置InGaP/GaAs HBT器件的性能差异。结论表明:倒置InGaP/GaAs HBT具有更好的开启电压和高频特性,而常规的InGaP/GaAs HBT具有更高的直流增益和更大的直流电流输出。 

【文章来源】：中国职协2017年度优秀科研成果获奖论文集（一二等奖）中国职工教育和职业培训协会秘书处专题资料汇编

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【参考文献】：
期刊论文
[1]异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究[J]. 周守利,李伽,任宏亮,温浩,彭银生.  物理学报. 2013(17)



本文编号：3189345