化学机械抛光过程中抛光液团聚问题的研究

发布时间：2021-05-16 09:14

　　在化学机械抛光（CMP）用二氧化硅浆料中加入不同质量分数的混合保湿剂（由体积比为1∶1的分析纯丙三醇和三乙醇胺混合而成）,以解决CMP过程中抛光液易团聚的问题。结果表明,抛光液中加入保湿剂后团聚问题得到缓解。随保湿剂质量分数的增大,抛光液的团聚析出量减少,黏度增大,对蓝宝石晶圆的去除速率先增大后减小,晶圆抛光后的表面粗糙度逐渐增大。当保湿剂的质量分数为4%时,对蓝宝石晶圆进行CMP时的材料去除速率最大,为93.6 nm/min,抛光后晶圆的表面粗糙度为0.412 nm。 

【文章来源】：电镀与涂饰. 2020,39(03)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 实验
    1.1 抛光液的配制
    1.2 化学机械抛光
    1.3 性能检测
2 结果与讨论
    2.1 保湿剂对抛光液团聚析出量和黏度的影响
    2.2 保湿剂对蓝宝石材料去除速率的影响
    2.3 保湿剂对抛光后蓝宝石晶圆表面粗糙度的影响
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]阳离子型与非离子型表面活性剂的复配对阻挡层化学机械抛光的影响[J]. 王建超,刘玉岭,牛新环,杨盛华,张凯,周佳凯,张辉辉.  电镀与涂饰. 2018(24)
[2]添加剂对微晶玻璃化学机械抛光的影响[J]. 白林山,王金普,储向峰.  润滑与密封. 2017(11)
[3]抛光液组分对硬盘盘基片超光滑表面抛光的影响[J]. 周艳,罗桂海,潘国顺.  纳米技术与精密工程. 2012(02)
[4]磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究[J]. 李伟娟,周建伟,刘玉岭,何彦刚,刘效岩,甘小伟.  半导体技术. 2011(09)
[5]工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响[J]. 汪海波,俞沁聪,刘卫丽,宋志棠,张楷亮.  功能材料与器件学报. 2010(03)
[6]化学机械抛光技术的研究进展[J]. 雷红,雒建斌,张朝辉.  上海大学学报(自然科学版). 2003(06)

硕士论文
[1]蓝宝石晶片化学机械抛光液的研制[D]. 李树荣.大连理工大学 2008
[2]天然保湿剂的合成及应用研究[D]. 李鹏飞.江南大学 2005



本文编号：3189418