氮气载气MOCVD外延生长GaN成核层研究

发布时间：2021-05-20 20:43

　　在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对外延薄膜的质量有着重要的影响。因此,虽然氮气气氛下生长高质量成核层是一个难点,但从安全和成本角度来考虑,值得去攻克这个难点。文章在氮气气氛下使用Thomas Swan 2英寸19片MOCVD（metal-organic chemical vapor deposition）工业级生长设备在蓝宝石衬底上生长GaN成核层并利用原子力显微镜（Atomic force microscope,AFM）对样品表面进行表征。进一步研究了生长温度、生长时间、Ga源流量对GaN成核层的影响。结果表明GaN成核层的生长时间在2 min内呈均匀单层生长,生长温度在750℃以下成核岛分布均匀,Ga源流量与GaN生长速率呈线性关系,可简单的通过控制Ga源流量控制GaN成核层生长速率。 

【文章来源】：山西大学学报(自然科学版). 2020,43(01)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引 言
1 实验
2 实验结果
3 结论


【参考文献】：
硕士论文
[1]真空条件下感应加热氮化工艺研究[D]. 闫锦.大连海事大学 2006



本文编号：3198402