低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性

发布时间：2021-05-21 01:58

　　测量了高功率976nm InGaAs量子阱半导体激光器在低于1/30阈值电流下的低频电噪声,提出了以1/f噪声时域信号小波系数相关性与电流的关系来分析噪声来源的方法.结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性,完成了不同偏置电流下纯1/f噪声、加白噪声后的1/f噪声两种情况下的对比实验.实验结果表明:所测的低频噪声表现为明显的1/f噪声,对于纯1/f噪声,噪声幅度和小波系数相关性在判断噪声来源时具有相同的结果;对于加白噪声后的1/f噪声,噪声幅度变化很大且不能正确表征1/f噪声来源,而部分尺度下的小波系数相关性仍能作为判断噪声来源的可靠参量. 

【文章来源】：光子学报. 2016,45(06)北大核心EICSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 原理
2 实验测试系统
3 实验及结果
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3198833