声表面波器件晶圆键合工艺研究

发布时间：2021-05-21 03:13

　　声表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向发展,需要制作复合单晶薄膜和采用晶圆级封装。该文针对关键工艺中的晶圆键合工艺开展研究,提出工艺要求,简述有关键合工艺要求和设备特点,并进行了金属键合工艺验证。实验证明,设备和工艺能满足产品封装要求。 

【文章来源】：压电与声光. 2020,42(03)北大核心

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
0 引言
1 SAW器件晶圆键合技术
    1.1 晶圆级封装键合工艺
    1.2 异质晶圆键合工艺
    1.3 键合工艺要求
        1.3.1 晶圆清洗
        1.3.2 表面预处理
        1.3.3 精密对准
        1.3.4 键合
        1.3.5 退火
2 SAW器件用晶圆键合设备特点
3 验证
4 结束语


【参考文献】：
期刊论文
[1]晶圆直接键合及室温键合技术研究进展[J]. 王晨曦,王特,许继开,王源,田艳红.  精密成形工程. 2018(01)
[2]Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用[J]. 胥超,徐永青,杨拥军,杨志.  微纳电子技术. 2014(02)
[3]声表面波器件小型化技术发展概述[J]. 米佳,李辉.  压电与声光. 2012(01)

硕士论文
[1]晶圆级低温金金扩散键合的研究[D]. 卢学宝.北京交通大学 2014
[2]晶圆低温直接键合技术研究[D]. 饶潇潇.华中科技大学 2007



本文编号：3198936