基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaN MISHEMT器件对比
发布时间：2021-05-24 17:40
通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法,在氢化物气相外延（HVPE）自支撑GaN衬底和蓝宝石（0001）衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料,采用低压化学气相沉积SiNx作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）结构,对比研究了两种器件的材料性能和电学特性。阴极发光测试表明HVPE的自支撑GaN衬底缺陷密度可降至6×105 cm-2量级。自支撑GaN衬底上AlGaN/GaN HEMT结构具有良好的表面形貌,其表面粗糙度Ra仅为0.51 nm,具有较大的源漏电极饱和电流IDS=378 mA/mm和较高跨导Gm=47 mS/mm。动态导通电阻测试进一步表明,自支撑GaN衬底上同质外延生长的GaN缓冲层具有低缺陷密度,使AlGaN/GaN MISHEMT电流崩塌特性得到抑制。
【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(11)北大核心
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
2.1 HVPE自支撑GaN衬底材料表征
2.2 材料与电学特性
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]High performance AlGaN/GaN HEMTs with AlN/SiNx passivation[J]. 谭鑫,吕元杰,顾国栋,王丽,敦少博,宋旭波,郭红雨,尹甲运,蔡树军,冯志红. Journal of Semiconductors. 2015(07)
[2]高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长[J]. 李亮,李忠辉,罗伟科,董逊,彭大青,张东国. 人工晶体学报. 2013(05)
[3]AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响[J]. 席光义,任凡,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,韩彦军,罗毅. 物理学报. 2008(11)
本文编号：3204588
【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(11)北大核心
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
2.1 HVPE自支撑GaN衬底材料表征
2.2 材料与电学特性
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]High performance AlGaN/GaN HEMTs with AlN/SiNx passivation[J]. 谭鑫,吕元杰,顾国栋,王丽,敦少博,宋旭波,郭红雨,尹甲运,蔡树军,冯志红. Journal of Semiconductors. 2015(07)
[2]高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长[J]. 李亮,李忠辉,罗伟科,董逊,彭大青,张东国. 人工晶体学报. 2013(05)
[3]AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响[J]. 席光义,任凡,郝智彪,汪莱,李洪涛,江洋,赵维,韩彦军,罗毅. 物理学报. 2008(11)
本文编号：3204588
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