环形三量子点系统中的自旋塞贝克效应研究

发布时间：2021-06-13 10:39

　　随自旋电子学的发展,自旋热电效应在过去二十年中备受关注。在自旋电子学中,核心的问题是通过电压来控制电子的自旋自由度。而在自旋热电效应中,控制自旋的方法主要是热偏压,即在系统的不同端口之间所施加的温度梯度。因此研究自旋热效应需要将自旋电子学和热电学结合考虑。本文研究两种形状的三量子点系统中的自旋塞贝克效应,重点考虑量子点之间的耦合强度依赖于自旋自由度时对热电转换效率和热电势大小的影响。当在量子点之间的隧道结处施加静磁场时,电子的自旋自由度在通过势垒时会有拉莫尔进动,因此量子点间耦合的变得和自旋相关。本文所研究的系统的哈密顿量由多杂质安德森模型来表示,电子的透射系数由非平衡Keldysh格林函数理论框架下的运动方程方法计算得到,主要研究结果包括:（一）在和铁磁引线耦合的三量子点环中,发现引线的铁磁性和自旋相关的点间耦合的共同作用导致了较大的自旋热电势和自旋优值因子,其数值可能达到电荷热电势和优值因子的大小。量子相消干涉效应对自旋热电势和自旋优值因子影响更加明显。此外,还可以通过改变引线的磁矩和自旋相关的点间耦合改变自旋热电势的符号。（二）在两个量子点与普通金属电极耦合的三量子点结构中,当这... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

CdSe量子点的尺寸相关性光致发光(PL)光谱

电子科技大学硕士学位论文光颜色的量子点可以由相同的材料通过改变它们较大（较小）的尺寸，发射更接近红色（蓝色）。成的胶体量子点可以获得所需的粒。通过这种方到具有我们所需能量谱的量子点，且具有高量子nS 壳的 CdSe 或 CdTe 核量子点（见图 2-2）。这核的化学损伤。由于 ZnS 对光发射范围是光学透相关的光子损失[54]。

第二章 量子点及量子点系统中电子的输运特性附近产生谐振状态。当量子干涉发生在两个竞争光路之间时会产生，一个连接能量基态和一个激发离散态，另一个连接基态和连续的能态。干扰的性质随能量的变化而迅速变化，从而产生特征性的不对称线形。在解释半导体中的电子传输和光谱时，Fano 效应尤为重要。Fano 效应是在包括中子散射，原子光电离，拉曼散射和光吸收在内的各种实验中观察到的无处不在的现象。

【参考文献】：
期刊论文
[1]半导体量子点及其应用概述[J]. 李世国,王新中,范金坪,夏林中,张春晓,杜军.  科技信息. 2011(29)

博士论文
[1]量子点系统中的热电输运研究[D]. 徐卫平.山西大学 2017



本文编号：3227327