单粒子引起的组合电路软错误评估研究
发布时间：2021-07-08 12:40
随着集成电路工艺的进步,器件尺寸和关键电荷等不断的减小,使得工作在各种辐射环境下的电子器件中的集成电路极易受到辐射的干扰,从而造成电子器件故障。研究表明,在空间环境下高能粒子引起的软错误已经是影响集成电路失效的最主要模式。尤其是在目前深亚微米、纳米时代,组合电路上的软错误成指数级增长,高能粒子入射可能同时对组合电路上两个或多个物理相连的节点产生影响,发生单粒子多瞬态效应（single event multiple transients,SEMT）,由单粒子瞬态效应（single event transients,SET）和SEMT引起的组合电路上的软错误变得愈发不可忽视。目前,利用SPICE评估SET造成故障的方法,精度高,但由于仿真的时间过长,只适用于对规模小,结构单一的单路进行分析。与SPICE仿真相比,基于硬件的故障模拟评估方法具有速度快的特点,适合规模较大的电路进行软错误评估分析。目前对SEMT进行模拟评估的方法都只考虑了两个瞬态错误的情况,但已有研究表明三个及其以上的瞬态错误已不可忽视。本文在总结SET和SEMT在组合电路上的产生机理和传播特性的基础上,对组合电路软错误评估技...
【文章来源】：西南科技大学四川省
【文章页数】：73 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
软错误率随制造工艺增长图
2 单粒子理论基础太阳的活动以 11 年为一个周期，活动强烈的太阳的活动也就越强烈，特别是一旦发生太阳 年美国国家宇航局公开了通过卫星(SOHO)拍般发生太阳耀斑时其通量能达到 109 2-1cm s
太阳的活动也就越强烈，特别是一旦发生太阳耀斑，辐2001 年美国国家宇航局公开了通过卫星(SOHO)拍摄到的最]，一般发生太阳耀斑时其通量能达到 109 2-1cm s 。图 2-2 探测器（SOHO）拍摄到的耀斑[37]Fig 2-2 Flares captured by SOHO[37]
【参考文献】：
期刊论文
[1]基于向量传播的单粒子瞬态模拟方法研究[J]. 李悦,蔡刚,李天文,杨海钢. 微电子学. 2017(02)
[2]体硅90nm SRAM重离子单粒子多位翻转实验和数值模拟[J]. 罗尹虹,张凤祁,郭红霞,陈伟,丁李利. 现代应用物理. 2017(01)
[3]一种基于FPGA的微处理器软错误敏感性分析方法[J]. 梁华国,孙红云,孙骏,黄正峰,徐秀敏,易茂祥,欧阳一鸣,鲁迎春,闫爱斌. 电子与信息学报. 2017(01)
[4]考虑单粒子多瞬态故障的数字电路失效概率评估[J]. 梁华国,袁德冉,闫爱斌,黄正峰. 计算机辅助设计与图形学学报. 2016(03)
[5]时序敏感的容软错误电路选择性加固方案[J]. 梁华国,陈凡,黄正峰. 电子测量与仪器学报. 2014(03)
[6]SET传播过程中的脉冲展宽效应[J]. 梁斌,陈书明,刘必慰,刘征. 半导体学报. 2008(09)
[7]单粒子效应对卫星空间运行可靠性影响[J]. 王长河. 半导体情报. 1998(01)
博士论文
[1]辐照环境中通信数字集成电路软错误预测建模研究[D]. 周婉婷.电子科技大学 2014
[2]数字集成电路软错误敏感性分析与可靠性优化技术研究[D]. 绳伟光.哈尔滨工业大学 2009
硕士论文
[1]单粒子瞬态效应硬件模拟技术研究[D]. 张凤.电子科技大学 2018
[2]基于库单元的SET硬件模拟技术研究[D]. 汪再金.电子科技大学 2016
[3]纳米数字电路软错误率分析关键技术研究[D]. 袁德冉.合肥工业大学 2016
[4]深亚微米下SET故障模拟技术的研究[D]. 叶世旺.电子科技大学 2014
[5]逻辑电路软错误率评估模型设计与实现[D]. 宋超.国防科学技术大学 2010
[6]抗辐射加固SRAM设计与测试[D]. 王振.国防科学技术大学 2010
[7]星载计算机COTS技术下抗SEL辐射效应研究与实现[D]. 李毅.国防科学技术大学 2006
本文编号：3271587
【文章来源】：西南科技大学四川省
【文章页数】：73 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
软错误率随制造工艺增长图
2 单粒子理论基础太阳的活动以 11 年为一个周期，活动强烈的太阳的活动也就越强烈，特别是一旦发生太阳 年美国国家宇航局公开了通过卫星(SOHO)拍般发生太阳耀斑时其通量能达到 109 2-1cm s
太阳的活动也就越强烈，特别是一旦发生太阳耀斑，辐2001 年美国国家宇航局公开了通过卫星(SOHO)拍摄到的最]，一般发生太阳耀斑时其通量能达到 109 2-1cm s 。图 2-2 探测器（SOHO）拍摄到的耀斑[37]Fig 2-2 Flares captured by SOHO[37]
【参考文献】：
期刊论文
[1]基于向量传播的单粒子瞬态模拟方法研究[J]. 李悦,蔡刚,李天文,杨海钢. 微电子学. 2017(02)
[2]体硅90nm SRAM重离子单粒子多位翻转实验和数值模拟[J]. 罗尹虹,张凤祁,郭红霞,陈伟,丁李利. 现代应用物理. 2017(01)
[3]一种基于FPGA的微处理器软错误敏感性分析方法[J]. 梁华国,孙红云,孙骏,黄正峰,徐秀敏,易茂祥,欧阳一鸣,鲁迎春,闫爱斌. 电子与信息学报. 2017(01)
[4]考虑单粒子多瞬态故障的数字电路失效概率评估[J]. 梁华国,袁德冉,闫爱斌,黄正峰. 计算机辅助设计与图形学学报. 2016(03)
[5]时序敏感的容软错误电路选择性加固方案[J]. 梁华国,陈凡,黄正峰. 电子测量与仪器学报. 2014(03)
[6]SET传播过程中的脉冲展宽效应[J]. 梁斌,陈书明,刘必慰,刘征. 半导体学报. 2008(09)
[7]单粒子效应对卫星空间运行可靠性影响[J]. 王长河. 半导体情报. 1998(01)
博士论文
[1]辐照环境中通信数字集成电路软错误预测建模研究[D]. 周婉婷.电子科技大学 2014
[2]数字集成电路软错误敏感性分析与可靠性优化技术研究[D]. 绳伟光.哈尔滨工业大学 2009
硕士论文
[1]单粒子瞬态效应硬件模拟技术研究[D]. 张凤.电子科技大学 2018
[2]基于库单元的SET硬件模拟技术研究[D]. 汪再金.电子科技大学 2016
[3]纳米数字电路软错误率分析关键技术研究[D]. 袁德冉.合肥工业大学 2016
[4]深亚微米下SET故障模拟技术的研究[D]. 叶世旺.电子科技大学 2014
[5]逻辑电路软错误率评估模型设计与实现[D]. 宋超.国防科学技术大学 2010
[6]抗辐射加固SRAM设计与测试[D]. 王振.国防科学技术大学 2010
[7]星载计算机COTS技术下抗SEL辐射效应研究与实现[D]. 李毅.国防科学技术大学 2006
本文编号：3271587
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