背栅二硫化钼场效应晶体管的制备及其电学特性研究

发布时间：2021-07-14 12:18

　　二硫化钼（Molybdenum Disulphide,MoS₂）薄膜是优异的低维纳米材料,具有1.3¹.8 eV的可调带隙。利用MoS₂作为沟道材料制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率和极高的开关比（>10⁷）,有望替代传统硅材料场效应晶体管。目前,二维沟道材料的场效应晶体管制备中多采用电子束光刻技术,沟道与电极界面间的光刻胶残留会影响器件的电学特性。本文详细研究了探针转移电极法制备背栅MoS₂场效应晶体管的过程,探讨了探针转移电极法制备器件的可行性以及退火对其接触性能的影响,并揭示了低温氧等离子体处理对MoS₂场效应晶体管电学特性的协调机制。MoS₂样品采取机械剥离和化学气相沉积生长所得。在高倍率显微镜下利用金属探针将预制好的Au电极转移至MoS₂样品表面,实现了场效应晶体管的制备。使用拉曼光谱（Raman Spectrum）的E¹_2g和A_1g

【文章来源】：江苏大学江苏省

【文章页数】：88 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

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图 1.2 MoS2的结构：（a）天然块状 MoS2晶体；（b）MoS2的原子结构示意图。 1.2 Structure of MoS2. (a) Natural bulk MoS2crystal. (b) Diagram of MoS2atomic soS2的晶体结构有三种相，分别为：2H-MoS2、3R-MoS2、1T-MoS2，如3]。2H-MoS2为六角晶系构型，其中 Mo 通过三棱柱形式进行配位，M

图 1.3 MoS2的 2H，3R，1T 三种构型的原子结构示意图。ure 1.3 The atomic structure schematic of 2H, 3R and 1T phases of M

【参考文献】：
期刊论文
[1]低温氧等离子体处理对单层二硫化钼薄膜表面性质影响的研究[J]. 张伟冰,祝俊,王权.  真空科学与技术学报. 2017(10)

博士论文
[1]拓扑绝缘体纳米结构的可控生长与表面性能[D]. 郝国林.湘潭大学 2013

硕士论文
[1]单层二硫化钼背栅场效应晶体管的电学及光电特性研究[D]. 方佳佳.江苏大学 2017
[2]背栅黑磷场效应晶体管的制备及电学特性研究[D]. 郑波.江苏大学 2017
[3]聚焦离子束下图形化对单层石墨烯性能影响的研究[D]. 白冰.江苏大学 2016
[4]低温氧等离子体处理对单层石墨烯断裂韧性和粘附特性的影响研究[D]. 邓海君.江苏大学 2016



本文编号：3284132