WO 3 /金属复合薄膜的光电性能研究
发布时间：2021-07-22 01:30
随着科技的迅速发展,半导体材料已经在一些领域中得到广泛的应用,如智能窗、显示器、太阳能电池及污水降解等方面。电致变色和光电催化性能是衡量半导体材料光电性能的主要标准,为制备光电性能优异的半导体薄膜材料,本论文以WO3纳米块薄膜、WO3/Ag复合薄膜和WO3/Cu复合薄膜为主要研究对象。具体研究内容如下:（1）采用水热法在导电玻璃（FTO）上制备WO3纳米块薄膜。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对WO3纳米块薄膜进行表征。利用电致变色测试得到WO3纳米块薄膜的电致变色可逆性、响应时间、着色效率和光谱透过率等参数,利用光电流和光电催化测试得到WO3纳米块薄膜的光电流和光电催化降解效率等参数,并对其进行详细分析。经过研究水热时间对WO3纳米块薄膜光电性能的影响,结果显示水热时间4小时的WO3纳米块薄膜具有良好电致变色、光电流和光电催化性能。（2）在WO3纳米块薄膜光电性能最佳（...
【文章来源】：长春理工大学吉林省
【文章页数】：63 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
WO3理想晶体结构
化测试光照射下，偏置电压固定在 1.5V(vs. Ag/AgCl)，以 液为电解质(电解质定量 90ml)，使用电化学工作站(L电催化测试，同时使用紫外-可见分光光度计(Tu-181波长为 665 nm。电化学工作站进行样品的性能测试，均选用三电极体电极，Pt 网为对电极，Ag/AgCl 为参比电极。论米块薄膜的结构与表征衍射测试分析WO3薄膜的晶体结构，我们采用 X 射线衍射仪(XRD)对试结果如图 2.1 所示。
3薄膜样品进行扫描电子显微镜(SEM)测试，如图 2.2 所示。图 2.2 水热生长不同时间的 WO3纳米块薄膜的 SEM 图顶端扫描图(a) 2h; (b) 4h; (c) 6h 剖面扫描图(d) 2h; (e) 4h; (f) 6h图 2.2(a-c)分别为 WO3-2h、WO3-4h 与 WO3-6h 纳米块薄膜顶端扫描图，从图中可以看出，不同水热时间合成 WO3的表面形貌几乎无差别，均是形状规则且相互交错连接的砖块状结构，表明我们制备出纳米块结构的 WO3薄膜。图 2.2(d-f)分别为WO3-2h、WO3-4h 与 WO3-6h 纳米块薄膜剖面扫描图，从图中可以看出，WO3-4h 纳米块薄膜厚度约为 1.711μm，厚于 WO3-2h 纳米块薄膜的 472nm 和 WO3-6h 纳米块薄膜的 1.133μm。这可能由于随着水热时间的增加，大量的 WO3纳米块相互挤压而变得弯曲
本文编号：3296167
【文章来源】：长春理工大学吉林省
【文章页数】：63 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
WO3理想晶体结构
化测试光照射下，偏置电压固定在 1.5V(vs. Ag/AgCl)，以 液为电解质(电解质定量 90ml)，使用电化学工作站(L电催化测试，同时使用紫外-可见分光光度计(Tu-181波长为 665 nm。电化学工作站进行样品的性能测试，均选用三电极体电极，Pt 网为对电极，Ag/AgCl 为参比电极。论米块薄膜的结构与表征衍射测试分析WO3薄膜的晶体结构，我们采用 X 射线衍射仪(XRD)对试结果如图 2.1 所示。
3薄膜样品进行扫描电子显微镜(SEM)测试，如图 2.2 所示。图 2.2 水热生长不同时间的 WO3纳米块薄膜的 SEM 图顶端扫描图(a) 2h; (b) 4h; (c) 6h 剖面扫描图(d) 2h; (e) 4h; (f) 6h图 2.2(a-c)分别为 WO3-2h、WO3-4h 与 WO3-6h 纳米块薄膜顶端扫描图，从图中可以看出，不同水热时间合成 WO3的表面形貌几乎无差别，均是形状规则且相互交错连接的砖块状结构，表明我们制备出纳米块结构的 WO3薄膜。图 2.2(d-f)分别为WO3-2h、WO3-4h 与 WO3-6h 纳米块薄膜剖面扫描图，从图中可以看出，WO3-4h 纳米块薄膜厚度约为 1.711μm，厚于 WO3-2h 纳米块薄膜的 472nm 和 WO3-6h 纳米块薄膜的 1.133μm。这可能由于随着水热时间的增加，大量的 WO3纳米块相互挤压而变得弯曲
本文编号：3296167
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