10μm小间距红外探测器的铟柱生长研究

发布时间：2021-07-27 18:33

　　在10μm小间距的条件下进行红外探测器的铟柱生长工艺,会得到铟柱高度不足的结果;本文针对这种情况,开展了小间距的铟柱生长研究,比较了在不同基片温度和蒸发速率条件下的铟柱高度,并分析了试验结果,得到了最优的生长工艺条件。 

【文章来源】：激光与红外. 2020,50(10)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

铟蒸发示意图

光刻孔内铟柱的生长过程如图2所示。在图2中,Gv为铟柱垂直生长速度=铟蒸发速率;GH为铟柱水平生长速度;D为光刻孔的开孔直径=铟柱底部的直径;d为铟柱顶部的直径;h为铟柱的高度;hmax为铟柱最大的可能高度。

蒸发后基片表面扫电图

【参考文献】：
期刊论文
[1]读出电路铟柱打底层对铟柱成球高度的影响[J]. 谢珩,梁宗久,杨雅茹.  激光与红外. 2011(01)
[2]128×128GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列铟柱制备[J]. 杨孟丽,冯震.  微纳电子技术. 2006(11)
[3]128×128混合式热释电非致冷焦平面探测器列阵铟膜及铟柱制备工艺研究[J]. 黄江平,杨春丽,黎力,杨登全,张丽华,李玉英.  红外技术. 2003(06)



本文编号：3306320