NaClO和FA/OⅠ螯合剂对Ru和Cu的CMP影响

发布时间：2021-08-03 00:32

　　钌作为下一代14 nm超大规模集成电路阻挡层新材料,有着重要的研究意义,然而对阻挡层进行化学机械抛光时,由于Ru和Cu的化学性质与硬度均不相同,Ru和Cu很难达到适合的速率选择比。研究了在以NaClO为氧化剂时,磨料质量分数、pH值、NaClO溶液体积分数、FA/OⅠ螯合剂体积分数以及抗蚀剂BTA对Ru化学机械抛光的影响,同时研究了NaClO和FA/OⅠ螯合剂的协同作用对Ru和Cu的去除速率和电偶腐蚀的影响。实验结果表明,以NaClO为氧化剂时,随着pH值升高,Ru去除速率和静态腐蚀速率均随之升高,NaClO能够大幅度提高Ru和Cu的去除速率,FA/OⅠ螯合剂的加入能够小范围提高Ru和Cu的去除速率,同时FA/OⅠ螯合剂可以减缓Ru和Cu之间的电偶腐蚀,最终通过调节抗蚀剂的质量浓度,可以实现Ru和Cu速率可控,达到合适的速率选择比。 

【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(03)北大核心

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3318574