碳化硅功率器件技术综述与展望

发布时间：2021-08-09 09:05

　　碳化硅（silicon carbide,Si C）器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。 

【文章来源】：中国电机工程学报. 2020,40(06)北大核心EICSCD

【文章页数】：13 页

【部分图文】：

SiC功率器件阻断电压与比导通电阻的关系比101103104105102阻断电压/VTMOSFETIGBTGTO

较远，需通过生长缺陷密度更低的碳化硅外延材料以及开发成熟的增强寿命的工艺以满足实际应用场合大电流的需求。在开关器件中，JFET器件较为特殊，一般使用USCi公司的级联结构，其特性与MOSFET相类似，但驱动对开关速度等参数的控制能力削弱。MOSFET器风力发电电动汽车高铁直流输电服务器、电信设备电源现有碳化硅器件能满足的应用范围现有碳化硅器件还未能满足的应用范围101电流等级/A100104102103103104102电压等级/V光伏逆变图9SiC功率器件主要应用场合Fig.9MajorapplicationareasofSiCpowerdevices

【参考文献】：
期刊论文
[1]Design and fabrication of a 3.3 kV 4H-SiC MOSFET[J]. 黄润华,陶永洪,柏松,陈刚,汪玲,刘奥,卫能,李赟,赵志飞.  Journal of Semiconductors. 2015(09)
[2]常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET[J]. 黄润华,陶永洪,柏松,陈刚,汪玲,刘奥,卫能,李赟,赵志飞.  固体电子学研究与进展. 2014(05)
[3]Development of 10 kV 4H-SiC JBS diode with FGR termination[J]. 黄润华,陶永洪,曹鹏飞,汪玲,陈刚,柏松,栗瑞,李赟,赵志飞.  Journal of Semiconductors. 2014(07)
[4]碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望[J]. 盛况,郭清,张军明,钱照明.  中国电机工程学报. 2012(30)



本文编号：3331786