加热器/坩埚相对位置对ф200mm单晶硅生长过程中温度场和晶体质量的影响

发布时间：2021-08-09 09:31

　　采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响。结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成。另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降。可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一。 

【文章来源】：硅酸盐通报. 2016,35(11)北大核心CSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 引言
2 模型建立与计算参数
3 结果与讨论
    3.1 加热器/坩埚相对位置对炉内温度场的影响
    3.2 加热器/坩埚相对位置对晶体品质的影响
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3331820