碱性抛光液中螯合剂对Cu/Ta电偶腐蚀的影响（英文）
发布时间：2021-08-12 13:57
铜钽（Cu/Ta）界面在化学机械抛光（CMP）中易发生电偶腐蚀。研究了碱性抛光液中螯合剂对铜钽开路电位以及抛光速率的影响。利用静态与动态下的电化学方法,分别测得开路电压和动电位极化曲线,表征了铜钽分别在不同螯合剂体积分数的抛光液中的化学反应速率。CMP结果表明,随着螯合剂体积分数的增加,铜的去除速率不断增加,而钽的去除速率先增加后降低。同时,通过静态腐蚀实验和表面状态表明,随螯合剂体积分数增加,铜表面络合反应加快,而钽表面钝化加重。当螯合剂的体积分数为0.2%时,在动态情况下,铜钽之间腐蚀电位差降到0mV,表明螯合剂可以极大地降低Cu/Ta电偶腐蚀。
【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(03)北大核心
【文章页数】：8 页
【文章目录】：
1 Experiments
1.1 Electrochemical Experiments
1.2 Polishing Experiments
1.3 Static Corrosion Experiments
2 Results and Discussion
2.1 Estimation of Galvanic Corrosion from the Po-tentiodynamic Polarization Curves
2.2 Removal Rates and Static Corrosion Rates of Copper and Tantalum
3 Conclusion
【参考文献】：
期刊论文
[1]Cu/Ti在模拟海水中的电偶腐蚀行为（英文）[J]. 杜小青,杨青松,陈宇,杨洋,张昭. Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2014(02)
本文编号：3338449
【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(03)北大核心
【文章页数】：8 页
【文章目录】：
1 Experiments
1.1 Electrochemical Experiments
1.2 Polishing Experiments
1.3 Static Corrosion Experiments
2 Results and Discussion
2.1 Estimation of Galvanic Corrosion from the Po-tentiodynamic Polarization Curves
2.2 Removal Rates and Static Corrosion Rates of Copper and Tantalum
3 Conclusion
【参考文献】：
期刊论文
[1]Cu/Ti在模拟海水中的电偶腐蚀行为（英文）[J]. 杜小青,杨青松,陈宇,杨洋,张昭. Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2014(02)
本文编号：3338449
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